GB/T 33768-2017 通信用光电子器件可靠性试验方法

　　ICS 33 . 180 . 20 M 3 1

　　中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准

　　GB/T 33768—2017

　　通信用光电子器件可靠性试验方法

　　Reliabilitytestmethodforoptoelectronicdevicesusedintelecommunications

　　2017-05-31 发布 2017-12-01 实施

　　中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会

　　发

　　布

　　GB/T 33768—20 17

　　GB/T 33768—20 17

　　前 言

　　本标准按照 GB/T 1 . 1—2009 给出的规则起草。

　　请注意本文件的某些内容可能涉及专利。 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

　　本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。

　　本标准由工业和信息化部(通信)归口 。

　　本标准起草单位：武汉烽火科技集团有限公司、中兴通讯股份有限公司、中国信息通信研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司。

　　本标准起草人：赵先明、宋梦洋、江毅、龚雪、罗勇、邓智芳、杨春、武成宾、赵文玉、陈悦。

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　　通信用光电子器件可靠性试验方法

　　1 范围

　　本标准规定了通信用光电子器件可靠性试验方法的术语和定义、一般要求、详细要求，包括试验的目的、设备、条件、程序、检验及失效判据。

　　本标准适用于通信用光电子器件，其他领域的光电子器件也可参照使用。

　　2 规范性引用文件

　　下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注 日期的引用文件，仅注 日期的版本适用于本文件 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

　　GB/T 19001 质量管理体系 要求

　　GB/T 21194 通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求

　　3 术语和定义

　　GB/T 21194 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

　　3.1

　　光电子器件 optoelectronicdevice

　　具有光电特性的元件。

　　注：包括但不限于激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管及由它们组成的组件或模块，统称“光电子器件”。

　　3.2

　　试样 specimen

　　用作可靠性试验的光电子器件样品。

　　3.3

　　失效 failure

　　光电子器件达不到规定的光电参数和/或物理参数时，称为失效。

　　3.4

　　失效判据 failurecriterion

　　判定光电子器件失效的依据。

　　4 -般要求

　　4 . 1 试验类型

　　试验类型包括：符合性试验、机械完整性试验、环境试验和物理特性试验。

　　4 . 2 试验设备

　　应定期维护和校准试验设备。 试验设备的维护、校准和调控应符合 GB/T 19001 的相关规定。

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　　4 . 3 试验环境

　　除非另有规定，所有试验应在下列标准大气条件的环境中进行：

　　— 温度：15 ℃ ~35 ℃ ;

　　— 相对湿度：45%~75% ;

　　— 大气压力：86 kPa~106 kPa。

　　注：若另有规定，可在试验报告上注明试验环境条件。

　　4 . 4 抽样方案

　　分立的光电子二极管，试样应从最少 3 批经过筛选步骤的产品中随机抽取;对于光电子组件，应从一个批次或若干批次(不超过一个月)的产品中随机抽取。 批量数应大于抽取的试样数量。 抽样方案见表 1[4] 。

　　通常规定批允许不合格品的百分数(LTPD) 值是 10 或 20,对应的试样数量是 22 或 11 。在 LTPD值等于 10 时，最初的 22 个试样中若发现 1 只不合格的试样，第二次应重新抽取 16 只试样进行试验(应在第一次抽样的批次中抽取)，如果在第二次抽取的试样中没有不合格的试样，认为产品中的 38 个试样有 1 只不合格，达到了 LTPD 为 10 的标准;同样，LTPD 为 20 时，如果最初的 11 只试样中发现 1 只不合格的试样，第二次应重新抽取 7 只试样进行试验(应在第一次抽样的批次中抽取)，如果没有发现另外不合格的试样，那么，就达到了 LTPD 为 20 的标准。 但抽样次数不得超过 2 次 。

　　表 1 LTPD抽样方案

　　4 . 5 试验报告

　　无论采用任何一种试验项目以及方法进行试验，应根据实际的试验条件下进行试验所得到的数据编制试验报告，试验报告应至少包含以下内容：

　　a) 试样型号和数量;

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　　b ) 试验条件;

　　c) 失效判据;

　　d) 失效数;

　　e) 结论。

　　5 详细要求

　　5 . 1 符合性试验

　　5 . 1 . 1 光电特性

　　5 . 1 . 1 . 1 目的

　　确定在电压与温度发生波动时产品是否满足规定的光电性能指标。

　　5 . 1 . 1 . 2 设备

　　试验设备和要求如下：

　　— 高低温循环试验箱;

　　— 直流稳压电源;

　　— 试验条件下能够监视试验温度、电压和电流的装置;

　　— 能使试样引出端有可靠的光电连接的光电插座和其他安装形式;

　　— 光电性能测试仪表相匹配的测试电路板。

　　5 . 1 . 1 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 试验温度：正常工作温度、最高工作温度、最低工作温度;

　　— 偏置电压：正常工作偏置电压、正常工作偏置电压增加 5%、正常工作偏置电压减小 5% ;

　　— 驱动电流：典型工作电流、额定工作电流。

　　5 . 1 . 1 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 将试样放入高低温循环试验箱，按 5 . 1 . 1 . 3 在规定 3 种试验温度下分别施加所规定的偏置电压或驱动电流;

　　b ) 当试样达到规定的试验温度后，稳定 1 h 以上，然后再进行光电性能测试，并记录相应的试验温度、偏置条件和光电性能测试数据。

　　5 . 1 . 1 . 5 检测

　　试样加载试验温度和偏置条件以及每次改变试验温度或偏置条件后，应在试样符合 5 . 1 . 1 . 4 的步骤b)后再进行光电性能测试。

　　5 . 1 . 1 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 试样在输入相同偏置电压或驱动电流条件下，不同温度下的光电特性相比较，其主要光电参数指标变化量超过 20%,或发送光电子器件光功率变化量大于 1 . 0 dB,或接收光电子器件灵敏度变化量大于 1 . 0 dB;

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　　b ) 试样在最高工作温度下，不同偏置条件下或不同驱动电流时光电特性不满足规定的特性要求;

　　c) 试样在最低工作温度下，不同偏置条件下或不同驱动电流时光电特性不满足规定的特性要求。

　　5 . 1 . 2 外形尺寸

　　5 . 1 . 2 . 1 目的

　　验证光电子器件的外形尺寸是否符合规定的要求。

　　5 . 1 . 2 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 千分尺;

　　— 卡尺;

　　— 量规;

　　— 轮廓投影仪;

　　— 其他。

　　5 . 1 . 2 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 试验环境：15 ℃ ~35 ℃ ,30%RH~60%RH ;

　　— 仪表的精确度应比试样外形尺寸精确度至少高一个数量级。

　　5 . 1 . 2 . 4 程序

　　若无其他规定，应测量试样的外壳、引脚以及关键部位尺寸。

　　5 . 1 . 2 . 5 检测

　　测量试样的外壳、引脚以及关键部位尺寸并记录相关的数据。

　　5 . 1 . 2 . 6 失效判据

　　测量的数据超过规定的尺寸公差或极限值。

　　5 . 1 . 3 外部目检

　　5 . 1 . 3 . 1 目的

　　检验封装的光电子器件的工艺质量，也可以用来检验在试验过程中可能引起的损坏。 通常作为对试样试验前后外部的检查。

　　5 . 1 . 3 . 2 设备

　　试验设备为具有合适放大倍数并具有较大可见视场的光学仪器。

　　5 . 1 . 3 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 器件表面：采用 1 . 5 倍 ~10 倍显微镜;

　　— 器件密封处：采用 7 倍 ~10 倍显微镜;

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　　— 其他：采用 10 倍显微镜。

　　5 . 1 . 3 . 4 程序

　　当试样上有或疑似有外来物时，应用压力约为 137 kPa过滤的洁净气流进行吸入或吹出处理，然后用相应倍数的显微镜进行检测。

　　5 . 1 . 3 . 5 检测

　　在 1 . 5 倍 ~10 倍的显微镜下对试样表面进行检查，密封试样应在 7 倍 ~ 10 倍的显微镜下检验，其他外部检验应在 10 倍的显微镜下进行。

　　5 . 1 . 3 . 6 失效判据

　　检测后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 标志模糊不清或损坏或位置不符合适用规范的要求;

　　b ) 在密封交界区上存在任何可见的二次涂覆材料;

　　c) 焊料或其他外来物质使引线之间或焊接区之间的绝缘间距减少到小于引线间距(对于焊接引线为焊接区的间距)的 50%,在任何情况下，这个距离都不能小于引线自身最小轮廓线径;

　　d) 涂层缺陷(剥离、凹陷、起泡或腐蚀)，没有这些缺陷的退色除外;

　　e) 由于损伤或加工过程形成的划痕、斑点、凹陷，使基层金属暴露;

　　f) 引线断裂、引线存在缺陷、引线有尖锐的弯曲、引线偏离正常状态夹角 20°以上。

　　5 . 2 机械完整性试验

　　5 . 2 . 1 机械冲击

　　5 . 2 . 1 . 1 目的

　　评估光电子器件经受装卸、运输或现场使用过程中突然受力或剧烈振动所产生冲击的承受能力。

　　5 . 2 . 1 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能对试样施加如下冲击力的冲击装置：脉冲加速度：(300±20%)g~(2 000±20%)g;脉冲宽度：0.5 ms~1.0 ms;脉冲波形：半正弦波[3]。

　　— 冲击脉冲的基频 5 倍以上的传感器。

　　5 . 2 . 1 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 加速度峰值：(300±100)g(模块)或 (500±100)g(器件和组件);

　　— 脉冲宽度：(1.0±0.3) ms;

　　— 冲击次数：5 次冲击/方向，6 个方向。

　　5 . 2 . 1 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前应对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样外壳刚性地固定在冲击台上，应适当地保护外壳上引线或光纤，并采取措施防止由于设备的“弹跳”而产生的重复冲击;

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　　c) 按规定的试验条件，选择所需脉冲在 x1 、x2 、Y1 、Y2 、Z1 和 Z2 方向上各承受 5 次冲击。 对于其内部元件的主基座平面与 Y 轴垂直的器件，应把该元件趋向于脱出其安装基座的方向规定为Y1 方向。 以 SFP模块为例，见图 1 。

　　图 1 施力方向的取向示例

　　5 . 2 . 1 . 5 检测

　　试验完成后，在不放大或放大不超过 3 倍情况下，对试样的外部进行检查。 在放大 10 倍 ~20 倍下对外壳、引线或密封进行目检，并对试样主要光电特性进行测试。

　　5 . 2 . 1 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 外壳、引线或密封的缺陷、损坏，但是试验期间由于夹具或操作引起的标志损坏，不判为失效;

　　b ) 特性参数值超过规定值;

　　c) 主要光电参数指标变化量超过 20%,或发送光电子器件光功率变化量大于 1 . 0 dB,接收光电子器件灵敏度变化量大于 1 . 0 dB。

　　5 . 2 . 2 变频振动

　　5 . 2 . 2 . 1 目的

　　确定在规定频率范围内振动对光电子器件的影响。

　　5 . 2 . 2 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能产生具有规定强度和所需扫频的振动装置;

　　— 测量所必需的光学和电子测试仪器。

　　5 . 2 . 2 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 幅值：(1.52±0.1) mm;

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　　— 峰值加速度：20 + g

　　— 频率：20 Hz~2 000 Hz;

　　— 循环次数：4 个循环/方向，3 个方向。

　　5 . 2 . 2 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前应对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样外壳刚性地固定在振动台上，引线或光纤也应适当固定;

　　c) 试样在振动台上作等幅简谐振动，其振幅两倍幅值为(1 . 52±0 . 1) mm,其峰值加速度 20 + g。在向下变频率时，控制振幅大小，向上变频率时，控制峰值加速度值。 振动频率在 20 Hz~ 2 000 Hz范围内近似对数变化。从 20 Hz~2 000 Hz,然后从 2 000 Hz 回到 20 Hz 的时间应不少于 4 min;

　　d) 在 X1 、Y1 、Z1 的三个方向上(见图 1)各进行 4 次循环，总共 12 次 。整个周期所需时间至少为48 min。

　　5 . 2 . 2 . 5 检测

　　试验完成后，在不放大或放大不超过 3 倍情况下，对试样的外部进行检查。 在放大 10 倍 ~20 倍下对外壳、引线或密封处进行目检;对试样主要光电特性进行测试。

　　5 . 2 . 2 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6a)、b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5 . 2 . 3 热冲击

　　5 . 2 . 3 . 1 目的

　　确定密封光电子器件在遭受到温度剧变时的抵抗能力和产生的影响。

　　5 . 2 . 3 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能为工作区提供并控制达到规定温度，并且热容量和液体流量能使工作区的试样满足规定的试验条件和计时要求的试验槽;

　　— 能连续监视指示或记录读数的温度传感器。

　　5 . 2 . 3 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 试验温度：高温：1000 ℃和低温：0 0 ℃ ;

　　— 保持时间：高温和低温各 5 min;

　　— 循环次数：从高温到低温再从低温到高温为一次循环，共 15 次循环 ;

　　— 转换时间：高温到低温时间 ≤10 s。

　　在该温度范围内，水(沸水和冰水混合物)是可采用的介质。 由于海拔的原因，水作为试验的介质时，若达不到规定的温度容差，可用下面的试验条件代替：

　　— 试验温度：高温：100 - ℃ , 低温：0 + ℃ ;

　　— 循环次数：20 次 。

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　　5 . 2 . 3 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试。

　　b ) 将试样放于试验槽中，液体在试样周围的流动不应受到阻碍。

　　c) 试样放在高温中保持 5 min后，再将试样放入低温中保持 5 min ;

　　试样应在 2 min 内达到规定的温度;从高温到低温，或从低温到高温的转换时间不得超过10 s 。

　　d) 按照 c)步骤进行 15 次循环。

　　5 . 2 . 3 . 5 检测

　　完成试验后，在不放大或放大不超过 3 倍情况下，对试样的标识进行检验;在放大 10 倍 ~20 倍的情况下，对外壳引线或密封部位进行检验;并对试样主要光电特性进行测试。

　　5 . 2 . 3 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6a)、b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5 . 2 . 4 光纤扭力

　　5 . 2 . 4 . 1 目的

　　评估在安装和使用时，光电子器件带尾纤的部分在遭受到外部扭动力时的抗扭动的能力。

　　5 . 2 . 4 . 2 设备

　　试验设备为能对尾纤施加 2 . 45 N~19 . 6 N 的力并且在与力垂直方向作正、负 90°旋转的光纤扭力设备。

　　5 . 2 . 4 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 尾纤末端施加力：4 . 9 N(对于紧套或松套光纤)，9 . 8 N(对于加强型光纤);

　　— 扭动受力点：距尾管 3 cm 处 ;

　　— 正、反方向循环各 10 次 。

　　5 . 2 . 4 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样放置在扭力设备的适当位置上，使尾纤在扭动时不会受到阻碍;

　　c) 在距光电子器件尾管 3 cm处固定夹具，给尾纤末端施加规定的力，同时水平旋转夹具，使光纤向正方向旋转 90°,然后回到 0°,再向相反方向旋转 90°,再回到 0°,循环 10 次 。

　　5 . 2 . 4 . 5 检测

　　试验完成后，测试试样的光电特性，检查光纤外观。

　　5 . 2 . 4 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

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　　a) 尾纤有机械损伤，如变形、龟裂、松弛、断裂等现象;

　　b) 5.2.1.6b) 或 c)。

　　5 . 2 . 5 光纤侧向拉力

　　5 . 2 . 5 . 1 目的

　　评估在安装和使用时光电子器件带尾纤的部分弯曲 90°并施加力时所产生的抗侧向拉力的能力。

　　5 . 2 . 5 . 2 设备

　　试验设备为光纤侧向拉力设备，该设备应能按规定对尾纤弯曲 90°并能施加 2 . 45 N~19 . 6 N 的力。 5 . 2 . 5 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 受力点：距尾管 22 cm~28 cm处，将光纤弯曲 90°;

　　— 施加力：2 . 45 N(紧套或松套光纤)，4 . 9 N(加强型光纤)。

　　5 . 2 . 5 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样放置在侧向拉力设备的适当位置上，使尾纤在侧向拉动时不会受到阻碍;

　　c) 在距光电器件尾管 22 cm~28 cm尾纤处，将光纤弯曲 90°并施加规定的力。

　　5 . 2 . 5 . 5 检测

　　试验完成后，测试试样的光电特性，检查光纤外观。

　　5 . 2 . 5 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 4 . 6a)、b) 中情况之一判为失效。

　　5 . 2 . 6 光纤拉力

　　5 . 2 . 6 . 1 目的

　　评估在安装和使用时，光电子器件带尾纤的部分脱出方向施加力所产生的作用。

　　5 . 2 . 6 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能按规定对光纤施加一个 2 . 45 N~19 . 6 N力的拉力设备。

　　5 . 2 . 6 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 光纤脱出方向施加力：4 . 9 N(紧套或松套光纤)，9 . 8 N(加强型光纤);

　　— 受力点：距尾管至少 10 cm 处 ;

　　— 最大加力速率：400 μm/s。

　　5 . 2 . 6 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

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　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样放置在拉力设备的适当位置，使尾纤在拉动时不会受到阻碍;

　　c) 依据规定给尾纤末端施加一个规定的力，并持续 1 min。

　　5 . 2 . 6 . 5 检测

　　试验完成后，测试试样的光电特性，检查光纤外观。

　　5 . 2 . 6 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 4 . 6a)、b) 中情况之一判为失效。

　　5 . 2 . 7 引脚牢固性

　　5 . 2 . 7 . 1 目的

　　确定光电子器件在组装和使用过程中，拉伸、弯曲、疲劳、扭矩对引线焊接、镀层和密封的影响。

　　5 . 2 . 7 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　a) 拉伸：有适当的夹具来固定试样并能施加拉伸力的装置;

　　b ) 弯曲：有固定试样的装置、夹具、支架等工具，能按规定的弯曲角度施加弯曲应力的装置;

　　c) 疲劳：有固定试样的装置、夹具、支架等工具，能按规定的弯曲角度重复施加弯曲应力的装置;

　　d) 扭矩：有固定试样的装置、夹具、卡具和扳手，或既能施加扭矩力又不妨碍引脚运动的装置。

　　5 . 2 . 7 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 拉伸：轴线方向上施加 2 . 25 N 的力，并保持至少 30 s ;

　　— 弯曲：易弯曲引脚在离密封处(3 . 05±0 . 7)mm 的弯曲角度至少应为 45°;双列直插封装引脚应向内弯曲 15°;针栅阵列封装引脚应在对边外侧的一列弯曲 15°;

　　— 疲劳：双列直插封装、扁平封装和同轴封装引脚应施加(0 . 83±0 . 09)N 的力;

　　— 扭矩：圆形截面引线，以引脚为轴，施加扭矩至少 15 s。 矩形截面引脚，在引脚离器件本体(3.05±0.76) mm处施加(14.2±1.42)N · mm 的扭矩。

　　5 . 2 . 7 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 拉伸：对试样的每条引脚的轴线方向上施加拉力，在加力的过程中应避免冲击，尽量在引脚的末端施加力，持续时间大于 30 s。

　　b ) 弯曲：每条试样引脚应在最易弯曲的方向上弯曲。 若无最易弯曲方向，可在任意方向弯曲。引脚弯曲时不应影响其他引脚。 如果影响不可避免，试验引脚就按规定角度相反的方向弯曲，然后再恢复到原来的位置。 排列成行的引脚可以一次弯曲一行。

　　c) 疲劳：双列直插封装按弯曲试验条件承受 3 次循环。 扁平封装和金属管壳封装应施加力，作3 次弧形弯曲。 单根引脚各次弯曲应在同一个方向和平面上，一个弯曲过程应在 2 s~5 s 内完成。

　　d) 扭矩： 圆形截面引脚器件应固定器件本体，以引脚为轴，在受试引脚上按试验条件无冲击地施加扭矩。 矩形截面引脚器件应固定器件本体，在以引脚轴为轴，顺时针方向和逆时针方向各施

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　　加一次扭矩。 对于在施加的扭矩小于规定值就明显扭转的引脚，应使其继续扭转，直至转角达到 (30±10)°,然后将引脚恢复到原来位置。

　　若无其他规定，至少从 3 个光电子器件中按 LTPD抽样要求选出相同数目的引脚进行试验。

　　5 . 2 . 7 . 5 检测

　　试验完成后，采用放大 10 倍 ~20 倍检查;当试样为密封器件时，需并进行密封性试验(见 5 . 4 . 2) 。

　　5 . 2 . 7 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 试样引脚与本体之间断线、松动或相对移动。

　　b ) 当试样为密封器件时：

　　— 细检漏程序不满足规定的相应失效极限值;

　　— 粗检漏程序的从同一位置出来的一串明显气泡或两个以上大气泡。

　　5 . 2 . 8 连接器插拔耐久性

　　5 . 2 . 8 . 1 目的

　　评估成套光电子器件光纤连接器的若干次插入和拔出的连续循环对特性的影响程度。

　　5 . 2 . 8 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能平顺连续插入和拔出光纤连接器，并记录插入和拔出次数的设备。

　　5 . 2 . 8 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 插拔次数：200 次;

　　— 每 50 次插拔后测试并记录一次光电特性数据。

　　5 . 2 . 8 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 以通常的方式插拔连接器;

　　b ) 试验前测试试样并记录光电特性数据;

　　c) 每插拔 50 次后测试并记录一次光电特性数据并清洁插针体及适配器的弹性套筒，共插拔200 次 。

　　5 . 2 . 8 . 5 检测

　　记录第一次插拔后试样光电特性数据，随后每插拔 50 次后对受试试样进行一次光电性能测试，并对受试试样进行外观检查。

　　5 . 2 . 8 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6b)、c) 中情况之一判为失效。

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　　5 . 2 . 9 受力传输

　　5 . 2 . 9 . 1 目的

　　确定带插拔连接器的光电子器件在安装和使用时，对尾纤施加力所产生的应力对光电子器件的影响程度。

　　5 . 2 . 9 . 2 设备

　　试验设备包括：能对尾纤施加 1 N~19 . 6 N 的力，且这个力的方向可以作 0°~135°角度变化的装置(见图 2) 。

　　图 2 受力传输设备示例

　　5 . 2 . 9 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 施加力的大小和角度如表 2 所示;

　　— 施加一次力至少持续 5 s。

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　　表 2 施加力的大小和角度

　　5 . 2 . 9 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前测试试样的光电特性;

　　b ) 将试样安装在受力传输试验设备上;

　　c) 首先加载(表 2 规定的角度和力)，0°角度和 2 . 45 N力到连接器上，至少持续 5 s ;

　　d) 加载 90°角度和 1 . 67 N力到连接器上，接着，角度增加到 135°,整个过程至少持续 5 s ;

　　e) 加载 0°角度和 6 . 86 N力到连接器上，至少持续 5 s ;

　　f) 加载 90°角度和 4 . 61 N力到连接器上，至少持续 5 s。

　　5 . 2 . 9 . 5 检测

　　试验完成后，移去负载至少 20 s,使光纤连接器释放应力后，再测试试样的光电性能。

　　5 . 2 . 9 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6a)、b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5 . 3 环境试验

　　5 . 3 . 1 高温贮存

　　5 . 3 . 1 . 1 目的

　　确定光电子器件能否经受高温下的运输和贮存，以保证光电子器件经受高温后能在规定条件下正常工作。

　　5 . 3 . 1 . 2 设备

　　试验设备为能在规定温度下进行恒温控制的高温试验箱。

　　5 . 3 . 1 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 贮存温度：(85±2) ℃或最高贮存温度;

　　— 贮存时间：2 000 h。

　　5 . 3 . 1 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前测试试样的主要光电特性;

　　GB/T 33768—20 17

　　b ) 把试样贮存在规定试验条件的恒温控制试验箱中，在开始计时之前应有足够升温时间，使所有试样处在规定的温度下，温度传感器应位于工作区内最低温度的位置处;

　　c) 在达到规定的试验时间后，把试样从试验环境中移出，放置 24 h,使之达到标准测试条件，并对试样光电特性进行测试。

　　5 . 3 . 1 . 5 检测

　　在试验完成后，应在 48 h 内完成试样的主要光电特性测试，并进行目检。 当有规定时，也可以在试验过程中的某些时刻进行测试。

　　5 . 3 . 1 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6a)、b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5 . 3 . 2 低温贮存

　　5 . 3 . 2 . 1 目的

　　确定光电子器件能否经受低温下运输和贮存，以保证光电子器件经受低温后能在规定条件下正常工作。

　　5 . 3 . 2 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能在规定温度下进行恒温控制的低温试验箱。

　　5 . 3 . 2 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 贮存温度：(-40±2) ℃或最低贮存温度;

　　— 贮存时间：72 h。

　　5 . 3 . 2 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前测试试样的主要光电特性;

　　b ) 把试样贮存在规定试验条件的低温试验箱中，在开始计时之前应有足够降温时间，使所有试样处在规定的温度下，温度传感器应位于工作区内最高温度的位置处 ;

　　c) 在达到规定的试验时间后，把试样从试验环境中移出，放置 24 h,使之达到标准测试条件，并对试样光电特性进行测试。

　　5 . 3 . 2 . 5 检测

　　在试验完成后，48 h 内完成试样的主要光电特性测试，并进行目检。

　　5 . 3 . 2 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6a)、b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5 . 3 . 3 温度循环

　　5 . 3 . 3 . 1 目的

　　确定光电子器件承受高温和低温的能力，以及高温和低温交替变化对光电子器件的影响，保证光电

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　　子器件封装内部的光路长期机械稳定性。

　　5 . 3 . 3 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能在加载最大负荷时，热容量和空气的流量以保证使工作区和试样达到规定试验条件的试验箱;

　　— 能用来连续监视工作区温度变化的温度指示器或记录仪。

　　5 . 3 . 3 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 循环温度：-40 ℃ ~+85 ℃ ;

　　— 高、低温保持时间：15 min;

　　— 循环次数：500 次(非受控环境)，或 100 次(受控环境);

　　— 升降温速率：≥10 ℃ / min。

　　5 . 3 . 3 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样放置在试验箱内，其位置不应妨碍试样周围空气的流动;

　　c) 试样在规定条件下连续完成规定的循环次数，试验曲线见图 3 ;

　　d) 完成规定的循环后，把试样从试验箱移出放置 24 h,使之达到标准测试条件后进行光电特性测试。

　　由于电源或设备故障原因，允许中断试验。 如果中断的循环次数超过规定循环的总次数的 10%时，不管任何理由，试验应重新从头开始进行。

　　图 3 温度循环试验曲线

　　5 . 3 . 3 . 5 检测

　　完成试验后，在不放大或放大不超过 3 倍情况下，对试样的标志进行检验;在放大 10 倍 ~20 倍情况下，对外壳引线或密封部位进行检验;并对试样主要光电特性进行测试。

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　　5 . 3 . 3 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6a)、b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5 . 3 . 4 恒定湿热

　　5 . 3 . 4 . 1 目的

　　本试验的目的是测定光电子器件承受高温和高湿的能力，以及高温和高湿对器件的影响程度，保证光电子器件的长期可靠性。

　　5 . 3 . 4 . 2 设备

　　试验设备为在加载最大负荷时能为工作区提供和控制规定的温度、湿度、热容量和空气流量的试验箱。

　　5 . 3 . 4 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 温度：+85 ℃ ;

　　— 湿度：85%RH;

　　— 保持时间：500 h(不加偏置)或 1 000 h(加偏置);

　　— 规定的偏置电压或电流(适用时)。

　　5 . 3 . 4 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样放进试验箱内，其摆放位置不应妨碍试样四周空气的流动;

　　c) 试样在规定条件下连续完成规定的试验时间。

　　5 . 3 . 4 . 5 检测

　　试样完成试验后，在窒温环境条件下放置 24 h,然后对其主要光电特性进行测试和 目检。 测试应在移出试验箱 48 h 内完成。

　　— 在不放大或放大不超过 3 倍情况下，对试样的标志进行检验;

　　— 在放大 10 倍 ~20 倍情况下，对外壳引线或密封部位进行检验。

　　5 . 3 . 4 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 标志全部或部分脱落、褪色和模糊;

　　b ) 封装金属零件的镀层被腐蚀、起泡和明显变色;

　　c) 试样基材或外包材(如封帽，引线，封套等)腐蚀面积超过 5%,或贯穿性腐蚀;

　　d) 引线损坏或部分分离;

　　e) 5.2.1.6b) 或 c) 中规定要求。

　　5 . 3 . 5 抗潮湿循环

　　5 . 3 . 5 . 1 目的

　　采用温度和湿度循环来提供一个凝露和干燥的交替过程，使腐蚀过程加速，并使密封不良的缝隙

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　　“呼吸”进湿气。 即以加速方式评估光电子器件在高温和高湿条件下，抗退化效应的能力。

　　5 . 3 . 5 . 2 设备

　　试验设备：可控制温度和湿度变化的温湿箱，它能满足图 4 所示的循环条件要求，以及按规定进行测量的测试仪器。

　　图 4 循环条件

　　5 . 3 . 5 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 循环：按图 4 进行 20 次连续循环。 当有规定时，可进行 10 次连续循环;

　　— 偏置电压：试样按规定施加偏置电压。 当有特殊规定时，也可不加偏置电压。

　　5 . 3 . 5 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前对试样的主要光电特性进行测试。

　　b ) 将试样放置在试验箱内，应使其充分暴露在试验环境中。 按规定的条件对试样进行试验。

　　c) 完成规定的循环次数之前(不包括最后一次循环)，如发生了不多于 1 次的意外的中断试验(如电源中断或设备故障)，可重复一次循环，试验继续进行;若在最后一次循环期间出现意外中

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　　断，除要求重做该循环外，还要求再进行一次无中断的循环;任何中断时间超过 24 h,都需要重新进行试验。 在 10 次循环中，至少有 5 次进行低温子循环。 在低温子循环期间，试样应在

　　- 10 ℃和不控制湿度的条件下，至少保持 3 h。

　　d) 在低温子循环后，将试样恢复到 25 ℃ ,相对湿度至少为 80%, 并一直保持到下一个循环的开始。

　　5 . 3 . 5 . 5 检测

　　试样完成试验后，在室温环境条件下放置 24 h,然后对其主要光电特性进行测试。 测试应在移出试验箱 48 h 内完成。

　　在不放大或放大不超过 3 倍情况下，对试样的标志进行检验;在放大 10 倍 ~20 倍情况下，对外壳引线或密封部位进行检验。

　　5 . 3 . 5 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 3 . 4 . 6a)、b)、c)、d)、e) 中情况之一判为失效。

　　5 . 3 . 6 高温寿命

　　5 . 3 . 6 . 1 目的

　　确定光电子器件高温加速老化失效机理和工作寿命。

　　5 . 3 . 6 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 能在规定温度下进行恒温控制并带有鼓风的高温试验箱;

　　— 使试样引出端在规定电路中有可靠的电连接的插座;

　　— 安装夹具;

　　— 加载驱动的电压源和/或电流源。

　　5 . 3 . 6 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 试验温度：(85±2) ℃(组件或模块)，或 (70±2) ℃(组件或模块)，或 (175±2) ℃(光电二极管);

　　— 工作偏置：正常工作偏置(不限于);

　　— 试验时间：5 000 h(不限于)。

　　5 . 3 . 6 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前应对试样的主要光电特性进行测试;

　　b ) 将试样放进高温试验箱内，并使试样处于工作状态;

　　c) 按照试验条件开始试验，记录起始时间、试验温度和试样数量;

　　d) 使用监视仪器，从试验开始到结束监视试验温度和工作偏置，以保证全部试样按条件施加应力[1] ;

　　e) 在中间测试时将样品从高温试验箱取出，测试完成后放回高温试验箱继续进行试验。

　　5 . 3 . 6 . 5 检测

　　一般每 168 h在常温下测试一次光电特性。 在测试前应先去掉偏置，然后冷却到室温后进行

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　　测试。

　　5 . 3 . 6 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 标志全部或部分脱落、褪色和模糊;

　　b) 5.2.1.6b) 或 c) 中规定要求。

　　5 . 4 物理特性试验

　　5 . 4 . 1 内部水汽含量

　　5 . 4 . 1 . 1 目的

　　测定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。

　　5 . 4 . 1 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 具有检测出 0 . 01 cm3 封装体积内水汽含量小于 2 . 5×10-4 以下灵敏度(偏差为 ±20%) 的质谱仪;

　　— 具有真空传递通道与质谱仪相连通的开口真空箱。

　　5 . 4 . 1 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 烘烤温度：( 100±5) ℃ ;

　　— 烘烤时间：12 h~24 h,烘烤时用泵抽气;

　　— 质谱仪真空度：小于或等于 0 . 67 kPa。

　　5 . 4 . 1 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试样应先进行密封性试验，并且不应存在可能影响水汽含量测定精确度的任何表面的沾污;

　　b ) 将被测试样放置在开口真空箱中，用泵抽气并在(100±5) ℃的温度下烘烤 12 h~24 h ;

　　c) 利用开口真空箱内或传递通道内刺穿装置刺穿试样外壳或盖板(不降低质谱仪的真空度和不破坏壳体内的密封媒质)使试样内部气体逸出，进入真空箱体和质谱仪。

　　5 . 4 . 1 . 5 检测

　　用质谱仪测量释放气体的特性：

　　a) 刺穿试样封装释放气体时箱内压力将增加。 若增压小于封装体积的正常增压的 50%,则以下情况的测量为无效测量：

　　— 没有完全刺穿试样;

　　— 试样的壳体不密封;

　　— 封装内部未包含常规的内压;

　　b ) 释放气体的水汽含量，按总气体含量的比例计算(按容积);

　　c) 其他气体含量的比例(按体积)：氮、氢、碳氟化合物、氧、氖、二氧化碳、甲烷和其他溶剂，对所有按体积计其含量大于 1%的气体都应测量和列出报告。

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　　5 . 4 . 1 . 6 失效判据

　　试样中，水汽含量大于 5 000 ppm(容积 0.01 cm3 ~0.85 cm3 )。

　　5 . 4 . 2 密封性

　　5 . 4 . 2 . 1 目的

　　确定具有内空腔的光电子器件密封封装的气密性。

　　5 . 4 . 2 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　a) 细检漏设备：

　　— 真空/压力室;

　　— 灵敏度达到足以读出小于或等于 10 - 4 Pa · cm3 /s漏率的氦质谱检漏仪。

　　b ) 粗检漏设备：

　　— 真空/压力室;

　　— 能将指示用液体温度保持在 125 ℃并适于观察的容器;

　　— 能把大于 1 μm 的颗粒从液体中除去的过滤系统;

　　— 1.5 倍 ~30 倍的放大镜;

　　— 如表 3 所示指示用碳氟化合物液体;

　　— 亮度能足够观察到距离最远的试样冒出气泡的光源;

　　— 使试样浸入指示液中的合适夹具。

　　表 3 碳氟化合物液体的物理特性要求

　　5 . 4 . 2 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 细检漏条件：按表 4 规定的试样封装内腔体积的相应条件;

　　— 粗检漏条件：按表 5 中规定的条件对试样加压;指示液体温度 125 ℃ ± 5 ℃;浸入深度 5 cm;观察时间至少 30 s。

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　　表 4 用于细检漏的条件

　　5 . 4 . 2 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 细检漏程序

　　— 试样置于真空/压力室内，按表 4 规定的时间和压力，用 1005%的氦气对真空/压力室

　　加压;

　　— 去除压力，并把每个试样移到与抽真空系统和质谱检漏仪连接在一起的密封室;

　　— 当对密封室抽真空时，原先压入试样内的氦气将会逸出，并由检漏仪检测，从而得到测量漏率 R;

　　— 从真空/压力室内取出试样到最后一个器件的检漏试验应在 1 h 内完成。

　　b ) 粗检漏程序

　　— 将试样放入真空/压力箱内，抽真空至小于或等于 0 . 67 kPa,并保持至少 30 min。 对内腔体积大于或等于 0 . 1 cm3 的器件，抽真空的过程可以省略;

　　— 在真空/压力箱注入液体，然后按表 5 中规定的条件对试样加压;

　　— 加压结束后，去压力，试样仍需浸在液体中 20 s 以上(可以在另一容器中)。试样移出浸泡液体后，应在空气中至少干燥(2±1) min,然后浸入(125±5) ℃的指示用液体中;

　　— 应将试样顶部至少浸入液面深度 5 cm。 可以一次浸入一个试样，或同时浸入一组试样，但在后一种情况下，应保证能清楚地看到从被检漏的一组试样中的任何一个试样冒出的气泡及其部位。 应在从浸入起，至少观察试样 30 s。

　　表 5 粗检漏加压条件

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　　5 . 4 . 2 . 5 检测

　　先进行细检漏，后进行粗检漏。 若按细检漏条件或粗检漏条件进行批次试验(即在检漏仪中每次放置一个以上的试样)时，只要出现失效情况，就应认为该批失效。

　　5 . 4 . 2 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 细检漏程序：不满足表 4 试样封装内腔体积规定的相应失效极限值。

　　b ) 粗检漏程序：从同一位置出来的一串明显气泡或两个以上大气泡。

　　5.4.3 ESD 阈值

　　5 . 4 . 3 . 1 目的

　　确定光电子器件受静电放电(ESD)作用所造成损伤和退化的敏感性。

　　5 . 4 . 3 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　—ESD脉冲模拟器的等效电路图(人体模型电路图[2])如图 5 所示和 ESD 脉冲波形(ESD人体脉冲波形图[2])如图 6 所示;

　　— 试样插座。

　　说明：

　　R1 — 106 Ω~107 Ω;

　　C1 — 100 pF±10 pF;

　　R2 — 1 500 Ω±15 Ω;

　　S1 — 高压继电器;

　　S2 — 常闭开关。

　　图 5 ESD脉冲模拟器的等效电路图

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　　说明：

　　tr —上升时间：<10 ns;

　　td —延迟时间：150 ns±20 ns;

　　Ip — 峰值电流;IP 值的 ±10%内;

　　If —抖动电流：

　　图 6 ESD脉冲波形

　　5 . 4 . 3 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　a) 室温下，每一个试样都应按表 6 所示的引线组合，从最低档开始，施加 3 个正脉冲，3 个负的脉冲 。脉冲之间应至少有 1 s 的延迟;

　　b ) 试验引脚的组合：

　　— 将试样的地引脚接到 B端，其他每条引脚依次接到 A端。 除了进行试验的一条引脚和地引脚以外其余所有引脚开路;

　　— 将所有电源引脚的不同组合连接到 B端，其他每条引脚依次接到 A端。 除了进行试验的一条引脚和电源引脚或电源引脚组合外，所有的其他引脚都开路;

　　— 将每条输入和输出引脚依次接到 A端，其余的所有输入和输出引脚组合接到 B端。 除了被试验的输入或输出引脚和其余的输入和输出引脚组合外，其余所有的引脚都开路。

　　表 6 试验引脚的组合

　　5 . 4 . 3 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

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　　a) 分立的光电子二极管(激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管等)，试样应从最少 3 批经过筛选步骤的样品中随机抽取 6 只进行试验;对于光电子组件，可用一个批次或若干批次(不超过一个月)的样品随机抽取 6 只进行试验;

　　b ) 试验前应对试样的主要光电特性进行测试;

　　c) 试样在试验前和试验期间都应处于室温下。 试验可从任何一个电压大小档开始，对于有恢复效应的试样，包括有放电保护的试样，应从最低电压档开始;

　　d) 在失效电压档下，重新对一个新的试样进行试验，消除累积损伤效应，有可能通过该电压档;

　　e) 如果任何一档电压有试样失效，则应该用下一档较低电压进行试验;

　　f) 试验确定的 ESD 阈值电压按表 7 进行评定。

　　表 7 器件 ESD阈值等级

　　5 . 4 . 3 . 5 检测

　　试验完成后，试样应在室温环境条件下放置 1 h,并对试样主要光电特性进行测试。

　　5 . 4 . 3 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现 5 . 2 . 1 . 6b)、c) 中情况之一判为失效。

　　5.4.4 ESD抗扰度

　　5 . 4 . 4 . 1 目的

　　确定光电子器件遭受从人体到光电子器件之间可能发生静电放电时的性能。

　　5 . 4 . 4 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　a) 能够产生如图 7 中波形的静电放电发生器，其静电放电发生器简图如图 8 所示[2] ;

　　b ) 接触放电电极如图 9 所示;

　　c) 空气放电电极如图 10 所示。

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　　图 7 静电放电发生器放电波形

　　说明：

　　R1 — 330 Ω;

　　R2 — 50 MΩ~100 MΩ;

　　C — 150 pF。

　　图 8 静电放电发生器放电电路

　　单位为毫米

　　图 9 接触放电电极

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　　单位为毫米

　　图 10 空气放电电极

　　5 . 4 . 4 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 试验电压：如表 8 所示，试验电压值分别为正、负极性;

　　— 放电次数：10 次;

　　— 放电间隔时间：≥1 s。

　　表 8 静电等级划分

　　5 . 4 . 4 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 试验前应对试样的主要光电特性进行测试。

　　b ) 试样正常工作时，在试样可能被接触的点和表面上施加放电。 接触放电时，接触放电电极的顶端在操作放电开关之前接触试样;空气放电时，空气放电电极的圆形部位应尽可能快地接近并触及试样。 每次放电之后，将静电放电发生器的放电电极从试样移开，然后重新触发放电发生器，进行新的单次放电。

　　c) 将静电放电发生器电极与试样表面垂直。

　　d) 静电放电发生器的放电回路电缆与试样的距离至少应保持 0 . 2 m。

　　e) 试验电压应从最小值逐渐增加，分别施加正、负极性电压值。

　　f) 试验应以单次放电的方式进行，在一个点上，至少施加 10 次 。

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　　g) 放电间隔时间至少 1 s。

　　5 . 4 . 4 . 5 检测

　　检测要求如下：

　　a) 应对试样分别进行接触放电和空气放电两种方式;

　　b ) 按表 8 的静电等级进行检测;

　　c) 试验后应对试样的主要光电特性进行测试。

　　5 . 4 . 4 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 5.2.1.6b) 或 c)规定要求;

　　b ) 如有要求时，按照试样的运行条件和功能规范进行判别：

　　1) 功能或性能降低或丧失(能够自行恢复除外);

　　2) 试样的软件损坏或数据丢失。

　　5 . 4 . 5 芯片剪切力

　　5 . 4 . 5 . 1 目的

　　通过对光电子器件的芯片所加力的测量，观察在该力作用下产生的失效类型(如果出现失效)以及残留的芯片附着材料和基片/管座金属层的外形，来确定光电子器件的芯片和安装在管座或其他基片上所使用材料和工艺的完整性。

　　5 . 4 . 5 . 2 设备

　　试验设备应包括带有杠杆臂的圆形测力计或线性运动测力计，其精确度应达到满刻度的 ±5%, 同时应具有下述能力：

　　a) 应能把力均匀地加到芯片的一条棱边上的接触工具;

　　b ) 应能使芯片接触工具与管座或衬底上安放芯片的平面垂直;

　　c) 芯片接触工具与管座/基片夹具具有相对旋转能力，有利于与芯片边沿线接触，使对芯片加力的工具从一端到另一端接触芯片的整个边沿;

　　d) 一台放大倍数至少为 10 倍的双目显微镜，其照明应有利于在试验过程中对芯片与芯片接触工具的界面进行观察。

　　5 . 4 . 5 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 加力方向与管座或衬底平面平行;

　　— 芯片接触工具与固定芯片的管座/基片垂直。

　　5 . 4 . 5 . 4 程序

　　按以下程序进行试验：

　　a) 用测力计进行试验时，加力方向应与管座或衬底平面平行，并与被试验的芯片垂直;

　　b ) 用芯片接触工具在与固定芯片的管座或衬底基座垂直的芯片边沿施加力;

　　c) 在与芯片边沿开始接触之后以及在加力期间，接触工具的相对位置不得垂直移动，以保证与管座/基片或芯片附着材料一直保持接触。

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　　5 . 4 . 5 . 5 检测

　　对芯片施加足以能把芯片从固定位置上剪切下来的力，或等于如图 11 所示，规定的最小剪切力的两倍(取其第一个出现的值)。

　　图 1 1 最小附着力与芯片附着面积的关系

　　5 . 4 . 5 . 6 失效判据

　　完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：

　　a) 对于环氧胶粘，附着区面积包括附着在芯片区域内的不离散的残余材料的面积：

　　— 施加的力达不到图 11 中 1 . 0 倍曲线所表示的芯片强度要求;

　　— 施加的力达不到图 11 中最小附着力的 2 . 0 倍时，同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的 75% ;

　　b ) 对于共晶焊接或其他附着方式，附着区面积包括附着在芯片区域内的不离散的残余材料面积，以及金属玻璃附着的封装材料面积：

　　— 施加的力达不到图 11 中 1 . 0 倍曲线所表示的芯片强度要求;

　　— 施加的力达不到图 11 中最小附着力的 1 . 25 倍时，同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的 50% ;

　　— 施加的力达到图 11 中最小附着力的 2 . 0 倍时，同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的 10%。

　　5 . 4 . 6 可焊性

　　5 . 4 . 6 . 1 目的

　　确定光电子器件引脚(直径小于 3 . 175 mm 的引脚，以及截面积相当的扁平引脚)的可焊性。 判断引脚被焊料涂覆时的浸润能力，或者当浸入低温锡焊料时形成适当的锡涂覆层的能力。 检验在生产过程中采取的处理方法是否有利于低温焊接。

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　　5 . 4 . 6 . 2 设备

　　试验设备如下：

　　— 焊料槽：应能容纳至少 1 kg 的焊料，并能把焊料保持在规定的温度;

　　— 浸焊料工具：能按规定控制试样引脚出入焊料槽的速率，并控制在焊锡槽内的停顿时间(浸入到要求深度的停留总时间);

　　— 光学设备：放大倍数至少为 10 倍的显微镜;

　　— 照明设备：能对试样提供均匀的、无闪光的、全散射的照明;

　　— 焊剂：一般使用松香型焊剂;

　　— 无铅焊料：合金成分为 Sn95 . 5Ag3 . 9Cu0 . 6,允许银的含量(质量分数)3 . 0%~4 . 0%, 铜的含量(质量分数)0.5%~1.0%。

　　注：若供求双方之间达成协议后可以用其他合金焊料。

　　5 . 4 . 6 . 3 条件

　　试验条件如下：

　　— 浸入焊剂时间：5 s~10 s ;

　　— 焊剂干燥时间：5 s~20 s ;

　　— 熔锡温度： (245±5) ℃(无铅焊料);

　　— 浸入角度：垂直;

　　— 浸入和提起速率：(25±6) mm/s;

　　— 熔锡中的停留时间：(5±0 . 5)s;(7±0 . 5)s(试样引脚直径大于或等于 1 mm) 。

　　5 . 4 . 6 . 4 程序