GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
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ICS 77 . 040 H 25
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T 34481—2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度
(EPD)的测量方法
Testmethodformeasuringetchpitdensity(EPD)inlow dislocationdensity
monocrystallinegermanium slices
2017-10-14 发布 2018-07-01 实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
发
布
GB/T 34481—20 17
前 言
本标准按照 GB/T 1 . 1—2009 给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口 。
本标准起草单位:云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。
本标准主要起草人:惠峰、普世坤、董汝昆。
GB/T 34481—20 17
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度
(EPD)的测量方法
1 范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于 1 000 个/cm2 、直径为 75 mm~150 mm 的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注 日期的引用文件,仅注 日期的版本适用于本文件 。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
3 方法提要
锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后,用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数 目 。位错腐蚀坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积。 锗单晶片主要有 0°、(100)偏 (111)6°和(100)偏
(111)9°三种,其位错图像分别如图 1、图 2、图 3 所示。
图 1 0 。 200 ×
图 3 (100)偏( 1 1 1)9。 200 ×
图 2 (100)偏( 1 1 1)6。 200 ×
GB/T 34481—20 17
4 仪器
金相显微镜,选取目镜 10 × ,物镜 20 × ,测量视场面积为 1 mm2 。
注:为精确测量腐蚀坑密度,用标准量具精确测量视场面积。
5 测量步骤
5 . 1 试样制备
本标准中锗单晶位错密度测试片的制备方法按 GB/T 5252 的规定进行。
5 . 2 选择测量点
5 . 2 . 1 以直径 100 mm 锗单晶测试片为例,测量点如图 4 所示。 对直径 100 mm 锗单晶测试片,方格边长为 13 mm,总测量点 37 个,测量点 19 在晶片中心。 75 mm、150 mm 锗单晶测试片的方格边长分别为 10 mm、21.8 mm。
5 . 2 . 2 各测量点应位于每个方格的中心。
图 4 100 mm锗单晶片测量点示意图
5 . 3 记录腐蚀坑数目
对区域 1 测量点视场面积内的腐蚀坑(其中心应在测量视场内)进行计数。 如果腐蚀坑之间间隔太近而难以计数,可提高放大倍数。 计数完毕后,记录腐蚀坑数目和显微镜的放大倍数。 对所有其他测量点重复上述操作,即对晶片从第 2 个区域计数到第 37 个区域。
6 测试结果的计算
每个测量点视场内的腐蚀坑密度按式(1)计算:
nd …………………………( 1 )
GB/T 34481—20 17
式中:
nd —单个测量点的腐蚀坑密度,单位为个每平方厘米(个/cm2 ) ;
ni —穿过视场面积 s 的腐蚀坑数目,单位为个;
s —视场面积(确定测量点,放大 200 倍),单位为平方厘米(cm2 ) 。
平均位错腐蚀坑密度 Nd按式( 2 ) 计算:
Nd nd …………………………( 2 )
式中:
Nd —平均位错腐蚀坑密度,单位为个每平方厘米(个/cm2 ) 。
7 精密度
N1、N2 为不同检测实验室对相同锗单晶测试片 37 个区域选取的 37 个测量点所检测的平均位错密度,检测结果的允许误差应在 20%以内,具体见表 1 。
表 1
8 试验报告
试验报告应包括以下内容:
a) 试样编号;
b) 本标准编号;
c) 测试结果(包括各个测量点的腐蚀坑密度和平均腐蚀坑密度);
d) 试验者和试验日期等。
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