GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法

　　ICS 29 . 045 H 80

　　中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准

　　GB/T 14844—2018

　　代替 GB/T 14844—1993

　　半导体材料牌号表示方法

　　Designationsofsemiconductormaterials

　　2018-12-28 发布 2019-1 1-01 实施

　　国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会

　　发

　　布

　　GB/T 14844—2018

　　前 言

　　本标准按照 GB/T 1 . 1—2009 给出的规则起草。

　　本标准代替 GB/T 14844—1993《半导体材料牌号表示方法》，与 GB/T 14844—1993 相比主要技术变化如下：

　　— 修改了范围中本标准适用性的描述(见第 1 章，1993 年版的第 1 章);

　　— 将原 3 . 1 . 1 中生产方法和用途分成两项，并对牌号表示方法排序进行调整，名称为第一项，生产方法为第二项(见 3 . 1 . 1 , 1993 年版的 3 . 1) ;

　　— 删除了多晶生产方法中的“铸造法”，增加了“T表示三氯氢硅法”、“S 表示硅烷法”、“F 流化床法”和“其他生产方法表示形式参照以上方法进行”(见 3 . 1 . 3 , 1993 年版的 3 . 1 . 1) ;

　　— 修改了 “N 表示块状”为“C表示块状”，并增加了“G 表示颗粒状”和“其他多晶形状表示形式参照以上方法进行”(见 3 . 1 . 4 , 1993 年版的 3 . 1 . 3) ;

　　— 增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途”(见 3 . 1 . 6) ;

　　— 调整了单晶牌号表示方法排序(见 3 . 2 . 1 , 1993 年版的 3 . 2) ;

　　— 增加了示例“如硅单晶 Si、砷化镓单晶 GaAs、碳化硅单晶 SiC、锗单晶 Ge、锑化铟单晶 InSb、磷化镓单晶 GaP 和磷化铟单晶 InP等”(见 3 . 2 . 2) ;

　　— 增加了“C表示铸锭法”(见 3 . 2 . 3) ;

　　— 增加了导电类型示例“例如 N 型导电类型掺杂元素有磷 P、锑 Sb、砷 As, P 型导电类型掺杂元素有硼 B,区熔气相掺杂用 FGD表示等”(见 3 . 2 . 4) ;

　　— 增加了示例“例如晶向〈111〉、〈100〉和〈110〉等”(见 3 . 2 . 5) ;

　　— 增加了示例“如硅片 Si、砷化镓片 GaAs、碳化硅片 SiC、锗片 Ge、锑化铟片 InSb、磷化镓片 GaP和磷化铟片 InP等”(见 3 . 3 . 2) ;

　　— 增加了“SCW 表示太阳能切割片”(见 3 . 3 . 4) ;

　　— 调整了外延片牌号表示方法排序(见 3 . 4 . 1 , 1993 年版的 3 . 4) ;

　　— 增加了示例“如硅外延片 Si、砷化镓外延片 GaAs、碳化硅外延片 SiC、锗外延片 Ge、锑化铟外延片 InSb、磷化镓外延片 GaP 和磷化铟外延片 InP等”(见 3 . 4 . 2) ;

　　— 增加了牌号中字母表示方法(见附录 A) 。

　　本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口 。

　　本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司。

　　本标准主要起草人：楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、张雪囡、丁晓民、贺东江。

　　本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

　　—GB/T 14844—1993 。

　　GB/T 14844—2018

　　半导体材料牌号表示方法

　　1 范围

　　本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。

　　本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

　　2 牌号分类

　　按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类，牌号中涉及的字母含义参见附录 A。

　　3 牌号表示方法

　　3 . 1 多晶牌号

　　3 . 1 . 1 多晶的牌号表示为：

　　P - - - -

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l l l———ll———————————

　　l l——————————3

　　l————————————2

　　l———————————————1

　　其中：

　　1 、2、3、4、5 分别代表牌号的第一项至第五项。

　　3 . 1 . 2 牌号的第一项中第 1 位 P表示多晶，后几位用分子式表示多晶名称，如硅 Si、锗 Ge等。

　　3 . 1 . 3 牌号的第二项表示多晶的生产方法，用英文第一个字母的大写形式表示，其中：

　　a) T表示三氯氢硅法;

　　b) S表示硅烷法;

　　c) R表示还原法;

　　d) Z表示区熔法;

　　e) F表示流化床法;

　　f) 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。

　　3 . 1 . 4 牌号的第三项表示多晶的形状，用英文第一个字母的大写形式表示，其中：

　　a) I表示棒状;

　　b) C表示块状;

　　c) G表示颗粒状;

　　d) 其他多晶形状表示形式参照以上方法进行。

　　3 . 1 . 5 牌号的第四项表示多晶产品的等级，用阿拉伯数字或英文字母表示。

　　GB/T 14844—2018

　　3 . 1 . 6 牌号的第五项表示多晶的特殊用途，用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中：

　　a) E表示电子级用途;

　　b) S表示太阳能级用途;

　　c) IR表示红外光学用途;

　　d) 其他用途表示形式参照以上方法进行。

　　3 . 1 . 7 若多晶产品不强调生产方法、用途或形状等，其牌号相应部分可省略，省略部分用 N/A表示。

　　3 . 1 . 8 多晶的牌号表示见示例 1~示例 4 。

　　示例 1 : PSi-T-I-1-E表示三氯氢硅法生产的一级棒状电子级多晶硅。

　　示例 2: PSi-N/A-C-1-N/A表示一级块状多晶硅。

　　示例 3: PGe-Z-N/A-1-N/A表示一级区熔锗锭。

　　示例 4: PGe-R-N/A-1-N/A表示一级还原锗锭。

　　3 . 2 单晶牌号

　　3 . 2 . 1 单晶的牌号表示为：

　　- - () -〈〉

　　l————————————1

　　其中：

　　1 、2、3、4 分别代表牌号的第一项至第四项。

　　注：太阳能铸锭法多晶或类单晶参照单晶的牌号表示方法。

　　3 . 2 . 2 牌号的第一项用分子式表示单晶的名称，如硅单晶 Si、砷化镓单晶 GaAs、碳化硅单晶 SiC、锗单晶 Ge、锑化铟单晶 InSb、磷化镓单晶 GaP 和磷化铟单晶 InP等。

　　3 . 2 . 3 牌号的第二项表示单晶的生产方法，用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中：

　　a) CZ表示直拉法;

　　b) FZ表示悬浮区熔法;

　　c) HB表示水平法;

　　d) LEC表示液封直拉法;

　　e) MCZ表示磁场拉晶法;

　　f) C表示铸锭法;

　　g) 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。

　　3 . 2 . 4 牌号的第三项中用 N 或 P表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂。 例如 N 型导电类型掺杂元素有磷 P、锑 Sb、砷 As,P 型导电类型掺杂元素有硼 B,中子嬗变掺杂法用 NTD 表示，区熔气相掺杂用 FGD表示等。

　　3 . 2 . 5 牌号的第四项用密勒指数表示晶向，如晶向〈111〉、〈100〉和〈110〉等。

　　3 . 2 . 6 若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用 N/A表示。

　　3 . 2 . 7 单晶的牌号表示见示例 1~示例 4 。

　　示例 1 : Si-CZ-P(B)-〈100〉表示晶向为〈100〉的 P 型掺硼直拉硅单晶。

　　示例 2: Si-FZ-N(N/A)-〈111〉表示晶向为〈111〉的 N 型悬浮区熔硅单晶。

　　示例 3: GaAs-HB-N(Si)-〈100〉表示晶向为〈100〉的 N 型掺硅水平砷化镓单晶。

　　示例 4: GaAs-LEC-(N/A)(Cr+O)-〈100〉表示晶向为〈100〉掺铬和氧的液封直拉砷化镓单晶。

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　　3 . 3 晶片牌号

　　3 . 3 . 1 晶片的牌号表示为：

　　- - - () -〈〉

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l

　　l l l———ll——————————54 l l——————————3

　　l————————————2

　　l——————————————1

　　其中：

　　1 、2、3、4、5 分别代表牌号的第一项至第五项。

　　3 . 3 . 2 牌号的第一项用分子式表示晶片的名称，如硅片 Si、砷化镓片 GaAs、碳化硅片 SiC、锗片 Ge、锑化铟片 InSb、磷化镓片 GaP 和磷化铟片 InP等。

　　3 . 3 . 3 牌号的第二项表示晶片的生产方法，其表示方法同 3 . 2 . 3 。

　　3 . 3 . 4 牌号的第三项表示晶片种类，用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中：

　　a) CW 表示切割片;

　　b) LW 表示单面研磨片;

　　c) DLW 表示双面研磨片;

　　d) EtW 表示腐蚀片;

　　e) PW 表示单面抛光片;

　　f) DPW 表示双面抛光片;

　　g) DW 表示扩散片;

　　h) AW 表示退火片;

　　i) SCW 表示太阳能切割片;

　　j) 其他晶片种类表示形式参照以上方法进行。

　　3 . 3 . 5 牌号的第四项中用 N 或 P表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂。 例如 N 型导电类型掺杂元素有磷 P、锑 Sb、砷 As,P 型导电类型掺杂元素有硼 B,中子嬗变掺杂用 NTD 表示，区熔气相掺杂用 FGD表示等。

　　3 . 3 . 6 牌号的第五项用密勒指数表示晶向，如晶向〈111〉、〈100〉和〈110〉等。

　　3 . 3 . 7 若晶片不强调晶体生产方法，或晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用 N/A表示。

　　3 . 3 . 8 晶片的牌号表示见示例 1~示例 2 。

　　示例 1 : Si-CZ-PW-N(Sb)-〈111〉表示晶向为〈111〉的 N 型掺锑直拉硅单晶单面抛光片。

　　示例 2: Si-FZ-DLW-N(NTD)-〈111〉表示晶向为〈111〉的 N 型中照悬浮区熔硅单晶双面研磨片。

　　3 . 4 外延片牌号

　　3 . 4 . 1 外延片的牌号表示为：

　　- - () -〈〉

　　l l l———ll——————————

　　l l——————————2

　　l————————————1

　　GB/T 14844—2018

　　其中：

　　1 、2、3、4 分别代表牌号的第一项至第四项。

　　3 . 4 . 2 牌号的第一项用分子式表示外延片的名称，如硅外延片 Si、砷化镓外延片 GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片 Ge、锑化铟外延片 InSb、磷化镓外延片 GaP 和磷化铟外延片 InP等。

　　3 . 4 . 3 牌号第二项表示外延片的生产方法，用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中：

　　a) VPE表示气相外延;

　　b) LPE表示液相外延;

　　c) MBE表示分子束外延;

　　d) MOCVD表示金属有机化合物化学气相沉积。

　　3 . 4 . 4 牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示衬底掺杂剂，如掺磷 P、掺锑 Sb、掺砷As、掺硼 B等。 其中 ：

　　a) n/n+ 表示在 n+ 型衬底上生长 N 型外延层;

　　b) p/p+ 表示在 p+ 型衬底上生长 P 型外延层;

　　c) n/p(或 p/n)表示在 P 型(或 N 型)衬底上生长导电类型相反的外延层;

　　d) n/I(或 p/I)表示在绝缘衬底上生产 N 型(或 P 型)外延层;

　　e) n/p/n表示在 N 型衬底上先生长 P 型外延层，再生长 N 型外延层，其他多层外延片结构的表示方法以此类推;

　　f) n/SI表示在半绝缘衬底上生产 N 型外延层。

　　3 . 4 . 5 牌号的第四项用密勒指数表示晶向，如晶向〈111〉、〈100〉和〈110〉等。

　　3 . 4 . 6 外延片的牌号表示见示例 1~示例 2 。

　　示例 1 : Si-VPE-n/n+ (Sb)-〈100〉表示晶向〈100〉的衬底为重掺锑外延层掺磷的 N 型气相硅外延片。

　　示例 2 : GaAs-LPE-n/n+ (Te)-〈100〉表示晶向〈100〉的衬底掺碲的 N 型液相砷化镓外延片。

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　　附 录 A

　　(资料性附录)

　　半导体材料牌号中字母表示方法

　　半导体材料牌号中字母表示方法见表 A. 1 。

　　表 A.1 半导体材料牌号中字母表示方法

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　　表 A.1(续)