GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
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资料介绍

本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。
　　本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001～10，000Ω