GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
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资料介绍
ICS 29 . 045 H 82
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T 12964—2018
代替 GB/T 12964—2003
硅单晶抛光片
Monocrystallinesiliconpolishedwafers
2018-09-17 发布 2019-06-01 实施
国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会
发
布
GB/T 12964—2018
前 言
本标准按照 GB/T 1 . 1—2009 给出的规则起草。
本标准代替 GB/T 12964—2003《硅单晶抛光片》,与 GB/T 12964—2003 相比,除编辑性修改外主要技术变化如下:
— 修订了适用范围,将“本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄进行单面抛光制备的硅抛光片”改为“本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于 200 mm 的硅单晶抛光片。 产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底”(见第 1 章,2003 年版的第 1 章)。
— 修订 了 规 范 性 引 用 文 件,删 除 了 GB/T 1552 、GB/T 1554 、GB/T 1555 、GB/T 1558 、 GB/T 13387、GB/T 13388、GB/T 14140、GB/T 14143, 增 加 了 GB/T 12965、GB/T 19921 、 GB/T 24578、GB/T 29507、GB/T 32279、GB/T 32280、YS/T 28、YS/T 679(见第 2 章,2003年版的第 2 章)。
— 删除了原标准中的具体术语内容,改为“GB/T 14264 界定的术语及定义适用于本文件”(见
第 3 章,2003 年版的第 3 章)。
— 修订了硅抛光片的分类。 删除了“按硅单晶生长方法分为直拉(CZ)和悬浮区熔(FZ)”,增加了“按表面取向分为常用的{100}、{110}、{111}三种”(见 4 . 2 . 2 , 2003 年版的 4 . 1) 。
— 增加了“硅抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度(主参考面直径)、切口尺寸、参考 面位置和切 口 位 置 应 符 合 GB/T 12965 的 规 定。 如 有 需 要,由 供 方 提 供 各 项 检 验 结 果” (见 5 . 1) 。
— 删除了表 1 中主、副参考面长度、切口、主参考面直径的要求,修订了直径允许偏差、厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度的要求,增加了弯曲度的要求,增加了直径不小于 125 mm 硅抛光片的局部平整度的要求(见表 1 , 2003 年版的表 1) 。
— 将晶体完整性的要求列在 5 . 1,由供方提供检验结果(见 5 . 1 , 2003 年版的 5 . 3) 。
— 修订了氧化诱生缺陷的要求,改为“硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于 100 个/cm2 ,或由供需双方协商确定”(见 5 . 4 , 2003 年版的 5 . 3 . 2) 。
— 删除了原标准的表面取向、基准标记的内容(见 2003 年版的 5 . 4、5 . 5) 。
— 增加了 150 mm、200 mm直径硅抛光片的表面金属和体金属(铁)含量的要求(见 5 . 5、5 . 6) 。
— 修订了边缘轮廓的要求,由“硅抛光片须经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合 YS/T 26 的规定,特殊 要 求 可 由 供 需 双 方 协 商 确 定”改 为 “硅 抛 光 片 的 边 缘 轮 廓 形 状、尺 寸 应 符 合GB/T 12965的规定,且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物,特殊要求可由供需双方协商确定”(见 5 . 7 , 2003 年版的 5 . 7) 。
— 将表面质量要求中的“亮点”改为“局部光散射体(颗粒)”,并修订了局部光散射体(颗粒)的要求(见表 2 , 2003 年版的表 4) 。
— 修订了检验项 目,改为“每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量(除局部光散射体外)进行检验。 导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)是否检验由供需双方协商确定”(见
7 . 3 . 1、7 . 3 . 2) 。
— 增加了“氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)、雾、背表面处理的检验结果判定由供需双方协商确定”(见 7 . 5 . 2) 。
GB/T 12964—2018
— 增加了订货单(或合同)内容(见第 9 章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口 。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、卢立延、徐新华、张海英、楼春兰、杨素心、潘金平、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
—GB/T 12964—1996、GB/T 12964—2003 。
GB/T 12964—2018
硅单晶抛光片
1 范围
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于 200 mm 的硅单晶抛光片。 产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注 日期的引用文件,仅注 日期的版本适用于本文件 。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828 . 1—2012 计数抽样检验程序 第 1 部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 12962 硅单晶
GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射 X光荧光光谱测试方法
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范
GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法
YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T 28 硅片包装
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
3 术语和定义
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
GB/T 12964—2018
4 牌号及分类
4 . 1 牌号
硅抛光片的牌号表示按 GB/T 14844 的规定进行。
4 . 2 分类
4 . 2 . 1 硅抛光片按导电类型分为 N 型、P 型两种。
4 . 2 . 2 硅抛光片按表面取向分为常用的{100}、{110}、{111}三种。
4.2.3 硅抛光片按直径分为 50.8 mm、76.2 mm、100 mm、125 mm、150 mm 和 200 mm 六种。
5 要求
5 . 1 理化性能
硅抛光片的掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性应符合 GB/T 12962 的规定;硅抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度(主参考面直径)、切口尺寸、参考面位置和切口位置应符合 GB/T 12965 的规定。 如有需要,由供方提供各项检验结果。
5 . 2 电学性能
硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化应符合 GB/T 12962 的规定。
5 . 3 几何参数
硅抛光片的几何参数应符合表 1 的规定,表 1 中未包含的几何参数或对表 1 中几何参数有其他要求时,由供需双方协商确定。
表 1 几何参数
GB/T 12964—2018
表 1(续)
5 . 4 氧化诱生缺陷
硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于 100 个/cm2 ,或由供需双方协商确定。
5 . 5 表面金属
150 mm、200 mm 直径硅抛光片表面的单个金属元素(Na、Ca、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn) 的含量(原子数)应不大于 5 × 1010 cm- 2 。
5 . 6 体金属(铁)
150 mm、200 mm 直径硅抛光片的体金属(铁)含量(原子数)应不大于 5 × 1010 cm- 3 ,或由供需双方协商确定。
5 . 7 边缘轮廓
硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应符合 GB/T 12965 的规定,且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物,特殊要求可由供需双方协商确定。
5 . 8 表面质量
硅抛光片的表面质量应符合表 2 的规定,其中对局部光散射体(颗粒)的要求可由供需双方协商确定。
表 2 表面质量
GB/T 12964—2018
表 2(续)
5 . 9 其他
硅抛光片的激光刻字、边缘抛光等其他要求由供需双方协商确定。
6 试验方法
6 . 1 导电类型的测试按 GB/T 1550 的规定进行。
6 . 2 电阻率的测试按 GB/T 6616 的规定进行。
6 . 3 径向电阻率变化的测试按 GB/T 11073 的规定进行。
6 . 4 厚度和总厚度变化的测量按 GB/T 6618 或 GB/T 29507 的规定进行,仲裁时按 GB/T 29507 的规定进行。
6 . 5 弯曲度的测量按 GB/T 6619 的规定进行。
6 . 6 翘曲度的测量按 GB/T 6620 或 GB/T 32280 的规定进行,仲裁时按 GB/T 32280 的规定进行。
6 . 7 总平整度的测量按 GB/T 6621 或 GB/T 29507 的规定进行,仲裁时按 GB/T 29507 的规定进行。
6 . 8 局部平整度的测量按 GB/T 29507 的规定进行。
6 . 9 氧化诱生缺陷的检验按 GB/T 4058 的规定进行。
6 . 10 表面金属含量的测定按 GB/T 24578 的规定进行,或按供需双方协商的方法进行。
6 . 1 1 体金属(铁)含量的测定按 YS/T 679 的规定进行,或按供需双方协商的方法进行。
6 . 12 边缘轮廓的检验按 YS/T 26 的规定进行。
6 . 13 表面质量(除局部光散射体外)的检验按 GB/T 6624 的规定进行。
6 . 14 局部光散射体(颗粒)的检验按 GB/T 19921 的规定进行。
GB/T 12964—2018
7 检验规则
7 . 1 检查和验收
7 . 1 . 1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准和订货单(或合同)的规定,并填写产品质量证明书。
7 . 1 . 2 需方可对收到的产品进行检验。 若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定不符时,应在收到产品之日起 3 个月内向供方提出,由供需双方协商解决。
7 . 2 组批
产品以成批的形式提交验收,每批应由同一牌号、相同规格的硅抛光片组成。 每批硅抛光片应不少于 25 片 。
7 . 3 检验项目
7 . 3 . 1 每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量(除局部光散射体外)进行检验。
7 . 3 . 2 导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)是否检验由供需双方协商确定。
7 . 4 取样
7 . 4 . 1 非破坏性检验项目的检验取样按 GB/T 2828 . 1—2012 一般检验水平 Ⅱ 、正常检验一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定抽样方案。
7 . 4 . 2 破坏性检验项目的检验取样按 GB/T 2828 . 1—2012 特殊检验水平 S-2、正常检验一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定抽样方案。
7 . 5 检验结果的判定
7 . 5 . 1 导电类型的检验结果中若有一片不合格,则判该批产品为不合格。 其他检验项 目 的接收质量限(AQL)见表 3 。
表 3 接收质量限
GB/T 12964—2018
表 3(续)
7 . 5 . 2 氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)、边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)、雾、背表面处理的检验结果判定由供需双方协商确定。
7 . 5 . 3 抽检不合格的产品,供方可对不合格项进行全数检验,除去不合格品后,合格品可以重新组批。
8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
8 . 1 标志
硅抛光片的包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”“防潮”“易碎”“防腐”等标识,并标明:
a) 供方名称;
b) 产品名称、牌号;
c) 产品件数或数量。
8 . 2 包装
硅抛光片的包装按 YS/T 28 的规定执行,或由供需双方协商确定。
8 . 3 运输
产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施。
8 . 4 贮存
产品应贮存在清洁、干燥的环境中。
8 . 5 质量证明书
每批产品应有质量证明书,其上写明:
a) 供方名称;
b) 产品名称、牌号;
c) 产品批号;
d) 产品片数(盒数);
e) 各项参数检验结果和检验部门的印记;
GB/T 12964—2018
f) 本标准编号;
g) 出厂日期。
9 订货单(或合同)内容
本标准所列产品的订货单(或合同)应符合 GB/T 32279 的规定,或由供需双方协商确定。
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