您当前的位置:首页 > SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 > 下载地址2
SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范
- 英文名称:Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transisto
- 下载地址:[下载地址2]
- 提 取 码:981d
- 浏览次数:3
新闻评论(共有 0 条评论) |
资料介绍
本标准规定了3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管器件的外形尺寸、最大额定值和电特性,试验条件和检验要求。
下一篇: SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
上一篇: SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
相关推荐
- SJ 21277-2018 微波组件半水清洗工艺技术要求
- SJ/T 11666.4-2016 制造执行系统(MES)规范 第4部分:接口与信息交换
- SJ/T 11666.5-2016 制造执行系统(MES)规范 第5部分:产品开发
- SJ/T 11805-2022 人工智能从业人员能力要求
- SJ 21324-2018 激光缝焊机通用规范
- SJ 21259-2018 抛光设备工艺验证方法
- SJ/T 11783-2021 智慧健康养老服务平台参考模型
- SJ/T 11564.4-2015 信息技术服务 运行维护 第4部分:数据中心规范
- SJ 2534.2-1985 天线测试方法 天线测试场的设计
- SJ 21343-2018 微波元器件低温环境下S参数测试方法