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SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底
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资料介绍
本文件规定了半绝缘型碳化硅(SiC)单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本文件适用于经抛光后制备的Φ50.8 mm,Φ76.2mm，Φ100.0mm，Φ150. 0mm半绝缘型SiC衬底，晶型为4H。
本文件适用于经抛光后制备的Φ50.8 mm,Φ76.2mm，Φ100.0mm，Φ150. 0mm半绝缘型SiC衬底，晶型为4H。
