GB/T 5838.1-2015 荧光粉 第1部分：术语

　　ICS 31. 030 L 90

　　中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准

　　GB/T 5838. 1—2015代替 GB/T 5838—1986

　　荧光粉 第 1 部分 :术语

　　Phosphors—Part1:Terminology

　　2015-05-15发布 2016-01-01实施

　　中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会

　　发

　　布

　　GB/T 5838. 1—2015

　　前 言

　　GB/T 5838《荧光粉》系列国家标准包括以下部分 :

　　— 第 1部分 :术语 ;

　　— 第 2部分 :牌号 ;

　　— 第 3部分 :性能试验方法 ;

　　— 第 4-1部分 :黑白显示管用荧光粉 ;

　　— 第 4-2部分 :指示管用荧光粉 ;

　　— 第 4-3部分 :示波管和显示管用荧光粉 ;

　　— 第 4-4部分 :彩色显像管用荧光粉 ;

　　— 第 4-5部分 :彩色显示管用荧光粉 。

　　本部分是 GB/T 5838的第 1部分 。

　　本部分按照 GB/T 1. 1—2009给出的规则起草 。

　　本部分代替 GB/T 5838—1986《荧光粉名词术语》。

　　本部分与 GB/T 5838—1986相比主要变化如下 :

　　— 将半宽度和谱线宽度两条术语合并成 一 条 术 语 , 且 都 用 优 先 术 语 表 示(见 2. 68, 1986年 版 的1. 67和 1. 66) ;

　　— 增加了激发波长 、发射主峰和相对亮度的术语和定义(见 2. 60、2. 64、2. 74) ;

　　— 增加了冷阴极荧光灯(CCFL)用荧光粉 、等离子显示器(PDP) 用荧光粉 、发光二极管(LED) 用荧光粉 、场发射显示器(FED)用荧光粉 、真空荧光显示器(VFD)用荧光粉 、温度特性的术语和定义(见 3. 7~ 3. 9、3. 22、3. 27、3. 71) ;

　　— 增加了粒度分布离散度 、比表面积、pH值 、电导率 、流动性 、光谱反射率的术语和定义(见4. 52、 4. 53、4. 56~4. 58、4. 63) ;

　　— 增加了冷阴 极 荧 光 灯(CCFL) 、等 离 子 体 显 示 器(PDP) 、发 光 二 极 管(LED) 、场 发 射 显 示 器(FED) 、真空荧光显示器(VFD)的术语和定义(见 5. 50~ 5. 54) ;

　　— 修改了三基色灯用荧光粉 ,并增加了铝酸钡镁铕锰荧光粉(见表 1,1986年版的表 1) ;

　　— 修改了彩色灯用荧光粉(见表 2,1986年版的表 2) ;

　　— 修改了黑光灯用荧光粉(见表 3,1986年版的表 3) ;

　　— 删除了电致发光测试盒 、电介质 、介电常数 、介质损耗 、二次电子发射 、二次电子发射系数 、电子穿透深度的术语的定义(见 1986年版的 3. 101~ 3. 107) ;

　　— 按 GB/T 20001. 1—2001 的要求 ,将定义中出现的许用术语 、优先术语和符号调整到术语的位置 ,定义中的举例和说明用示例和注表示 ,且删除了一些无关的叙述 ;

　　— 删除了所有荧光粉名称中的冒号 。

　　请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 。

　　本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出 。

　　本部分由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归 口 。

　　本部分起草单位 :彩虹集团公司 、中国电子技术标准化研究院 。

　　本部分主要起草人 :黄宁歌 、张东宏 、裴会川 、庄卫东 。

　　本部分所代替标准的历次版本发布情况为 :

　　—GB/T 5838—1986。

　　荧光粉 第 1 部分 :术语

　　1 范围

　　GB/T 5838的本部分规定了荧光粉材料常用的名词术语和定义 。

　　本部分适用于荧光粉常用名词术语的理解和使用 。

　　2 基本概念

　　2. 1

　　发光 radio luminescence

　　冷光 coldluminescence

　　物体热辐射之外的一种辐射 。

　　注 : 这种辐射的持续时间要超过光的振动周期 。

　　2.2

　　荧光 fluorescence

　　激发停止后 ,持续时间小于 10-8 s 的发光 。

　　示例 :

　　蒸汽 、气体或液体在室温下的发光是典型的荧光 。

　　注 : 有时不以发光的持续时间作为荧光的定义 ,而是把分子的 自发发射称为荧光 。

　　2.3

　　磷光 phosphorescence

　　激发停止后 ,持续时间大于 10-8 s 的发光 。

　　示例 :

　　重金属激活的碱土金属发光物质的发光是典型的磷光 。

　　注 : 有时把晶体的复合发光称为磷光 。但现在对荧光和磷光已不作严格区别 。

　　2.4

　　光致发光 photoluminescence

　　用紫外 、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光 。

　　示例 :

　　日光灯的发光 。

　　2.5

　　电致发光 electroluminescence

　　在电场或电流作用下引起固体的发光 。

　　注 : 目前常见的电致发光材料有三种形态 :结型 、薄膜和粉末 ,其中粉末电致发光又有直流和交流之分 。 2.6

　　交流电致发光 A. C. electroluminescence

　　由交流电场引起的发光 。

　　注 : 它靠交变电场激发 , 即使通过的传导电流很小 ,仍可得到发光 。

　　GB/T 5838. 1—2015

　　2.7

　　直流电致发光 D. C. electroluminescence

　　由直流电场和电流作用引起的发光 。

　　注 : 它和交流电致发光不同 ,要求有电流流过发光体颗粒 ,否则不论电场有多强也不能得到发光 。

　　2. 8

　　阴极射线致发光 cathodoluminescence

　　固体受高速电子束轰击所引起的发光 。

　　示例 :

　　各种示波管 、显像管 、雷达指示管是典型的阴极射线致发光器件 。

　　2.9

　　X射线致发光 X-rayluminescence

　　由 X射线激发发光物质产生的发光 。

　　2. 10

　　放射线致发光 radioactiverayluminescence

　　由放射性物质的射线激发发光物质产生的发光 。

　　示例 :

　　夜光表上的发光就是由钷(Pm147)β射线激发硫化锌铜产生的发光 。

　　2. 11

　　闪烁 scintillation

　　电离粒子(α、β或γ射线)激发荧光体所引起的瞬时(约 10- 6 s 以下)闪光 。

　　2. 12

　　热释发光 thermoluminescence

　　发光体的温度升高后贮存的能量以光的形式释放出来的现象 。

　　注 1: 热释发光又可称为加热发光 。

　　注 2: 其发光强度与温度的关系叫热释发光曲线 。热释发光反映了固体中电子陷阱的深度和分布 ,可以测量物体所受辐射计量 。做成计量计 ,可以鉴别文物的真伪和化石的年代 。

　　2. 13

　　原子的状态和能级 stateand energylevelofatom

　　由原子核和围绕核运动的电子组成的原子(或离子) ,它们的总能量在一定范围内只能取一系列不连续的确定的分立值 ,这些分立的能量值对应于不同的能量状态 。

　　2. 14

　　能级图 energyleveldiagram

　　按微观粒子系统容许具有的能量大小 , 由低到高按次序用一些线段表示出来的图形 。

　　注 : 能级的数目是无限的 ,通常只画出和所研究问题有关的能级 。

　　2. 15

　　能级的简并 degeneracy ofenergylevel

　　在某些情况下 ,对应于某一能量 E,微观系统可以有 n 个不同状态的情况 。

　　注 : 同一能级的不同状态数 g,称为该能级的简并度 。

　　2. 16

　　能级的分裂 splitofenergylevel

　　微观系统在电场 、磁场等的作用下 ,原来简并的能级分裂成几个能级的现象 。

　　2. 17

　　基态 ground state

　　原子或分子以及由它们组成的系统所具有的许多特定的 、各不相同的能量状态中最低的能量状态 。

　　2. 18

　　激发态 excitation state

　　微观系统的能量高于基态的一切状态的统称 。

　　注 : 系统由较低能态过渡到较高能态叫做激发 。在激 发 过 程 中 , 系 统 需 要 从 外 界 吸 收 能 量 , 如 施 加 电 场 、光 照 或 加热等 。处于激发态的微观粒子均存在跃迁回基态的可能性 。

　　2. 19

　　跃迁 transition

　　系统由一个能量状态过渡到另一个能量状态 。

　　2.20

　　跃迁几率 transition probability

　　设某一能级上原有的粒子数为 N ,平均每单位时间内跃迁到另一能级的粒子数为 ΔN ,则 ΔN/N称为粒子由该能级到另一能级的跃迁几率 。

　　2.21

　　允许跃迁 allow transition

　　满足选择定则的跃迁过程 。

　　注 : 粒子在它的两个定态之间发生跃迁需要满足一定的 条 件 ,这 些 条 件 通 常 用 两 个 定 态 之 间 的 两 组 量 子 数 之 差 值来表示 ,称为选择定则 。允许跃迁和禁戒跃迁只有相对的意义 , 即只有跃迁几率的大小之别 。

　　2.22

　　禁戒跃迁 forbidden transition

　　不满足选择定则的跃迁过程 。

　　2.23

　　辐射跃迁 radiation transition

　　粒子系统从较高的能量状态跃迁到较低的能量状态时 , 以光的形式把能量发射出去的现象 。

　　2.24

　　无辐射跃迁 nonradiative transition

　　粒子系统从较高的能量状态跃迁到较低的能量状态时 ,能量不是以光的形式释放的现象 。

　　2.25

　　弛豫时间 relaxation time

　　物质系统由非平衡状态自发地趋于平衡状态的过程称为弛豫 。在发光中弛豫是指一个系统从较高的能量状态向较低能量状态的转变 ,如激发电子与晶格相互作用而回到基态 ,激发电子向低能态的跃迁等 。弛豫时间系指电子在较高能态的平均寿命 。

　　2.26

　　能级寿命 lifetimeofenergylevel

　　电子停留在某个能态上的平均时间 ,用 τ= 1/A 表示 ,A 为自发发射的跃迁几率 。

　　2.27

　　能带 energyband

　　描述晶体中电子能量状态的一个物理概念 。数量级极大(1015 以上) ,密集程度很高且可以看成是连续的能级 。

　　注 : 晶体是由大量原子规则排列组成的 ,在晶体中原子的外层电子运动已不再局限在该原子附近 ,而是可以在整个晶体中运动 。这种情况称为电子运动的共有化 。其 结 果 是 :N 个 孤 立 原 子 有 N 个 相 同 的 能 级 , 在 晶 体 中 变 成N 个能量略有差别的不同等级 。 因 N 的数量级极大(1015 以上) ,所以这些密集程度很高的能级 ,基本上可以看成是连续的 。 电子可以具有能带内的任何能量值 。

　　2.28

　　价带 valenceband

　　最高的满带 。

　　注 : 晶体的能带图中 ,最下面的几个能带 ,基本上都是被电子所填满 ,故称为满带 。

　　2.29

　　导带 conduction band

　　金属的价带之上的最低能带有大量电子(但没有占满所有的能带) ,这些电子在电场作用下 ,可以在晶体中运动 ,引起电流的现象 。

　　注 : 半导体价带之上的最低能带有少量电子 ,绝缘晶体的价带之上的能带基本上是空的 ,这些能带也称为导带 。

　　2.30

　　禁带 forbidden band

　　晶体中能带和能带之间的间隔 ,这个间隔中的能量一般是电子不能具有的 。

　　注 : 禁带往往表示价带和最低导带之间的能量间隔 。

　　2.31

　　禁带宽度 band gap

　　能隙 energygap

　　用价带顶到导带底之间的能量差来表示 。它反映了使电子从价带激发到导带所需要的能量 。

　　2.32

　　杂质能级 impurity energylevel

　　固体中由杂质原子所形成的能级 。

　　注 : 因为杂质原子和周围晶格中的原子不同 ,杂质能级中的电子或空穴只能局限在杂质原子附近 ,不能转移到其他原子上去 ,杂质能级一般处在禁带中 。

　　2.33

　　激发 excitation

　　处于较低能态或束缚态中的粒子吸收能量后跃迁到较高能量状态的过程 。

　　2.34

　　离化 ionization

　　将原子或分子轨道上的电子分离 ,使原子或分子形成带电的粒子的过程 。

　　注 1: 加热 、光辐照 、施加电磁场 、带电离子轰击等都可以使原子或分子离化 。

　　注 2: 发光中心的离化一般理解为处于束缚态的电子(空穴) 被激发到导带(价带) 脱离发光中心的束缚成为 自 由 载流子 。

　　2.35

　　发光中心 luminescentcenter

　　在适当的激发条件下 , 固体中发射光的原子(离子)或原子团 。按发光中心的性质可以分为分立中心和复合中心 。

　　2.36

　　分立发光中心 discreteluminescentcenter

　　如果发光过程从吸收开始到发射光子为止 ,可以完全局限在一个中心内部进行 ,这些中心彼此间是独立的 ,各自起作用 ,互不干扰(不排除它们相互间的共振能量传递)的 。

　　注 1: 分立中心在晶格中比较独立 ,一般是受基质晶场微扰的激活剂离子本身 。

　　注 2: 分立中心发光是非光电导型发光 ,一般发生在离子性较强的晶体中 。

　　2.37

　　复合发光中心 recombination luminescentcenter

　　发光中心在激发时被离化 , 当电子和被离化了的中心重新复合时发生的发光称为复合发光 ,该中心

　　即为复合发光中心 。

　　注 : 复合发光中心包括激活剂及其周围的晶格 ,激发和发射过程都有基质晶格参与 ,发光光谱受晶格的能带结构影响很大 。复合发光伴随着光电导的产生 ,一般为共价性强的半导体的发光 。

　　2.38

　　色心 colorcenter

　　使透明晶体产生非该晶体所特有的 ,新的吸收带的晶体的某些结构缺陷 。

　　注 : 如碱卤晶体中的 F色心就是一个负离子空位束缚一个电子 。产生色心的原因很多 ,如化学成分偏离 、杂质的存在以及紫外或 X射线的辐照等 。

　　2.39

　　陷阱 trap

　　晶体中的杂质或缺陷所形成的能级 。

　　注 : 晶体中有些杂质原子或缺陷能够俘获电子或空穴 , 它 们 与 复 合 中 心 不 同 ,不 能 先 后 俘 获 两 种 不 同 的 载 流 子 , 因而不起复合中心的作用 。它 俘 获 的 电 子 或 空 穴 可 因 热 激 励 而 释 放 出 来 , 再 经 过 其 他 复 合 中 心 与 空 穴 或 电 子复合 。

　　2.40

　　缺陷 defect

　　晶体中对完整周期性点阵或结构的任何偏离 。按缺陷的几何结构可分为 :

　　a) 点缺陷 : 晶格空位 、杂质原子 、填隙原子等 ;

　　b) 线缺陷 :位错等 ;

　　c) 面缺陷 : 晶粒间界 、孪晶间界 、层错 、表面等 ;

　　d) 体缺陷 :空洞 、第二相夹杂物等 。

　　2.41

　　激活 activation

　　在发光材料的基质中加入某种杂质或使基质材料出现偏离化学剂量比的部分(即生成结构缺陷) ,使原来不发光或发光很弱的材料产生发光的作用 。

　　2.42

　　共激活 co-activation

　　与激活剂共同加入基质中可与激活剂协同起到增强激活的作用 。

　　2.43

　　自激活 self-activation

　　在不加激活剂的情况下 , 因基质晶体中的结构缺陷(空位或填隙)而形成的发光中心称为 自激活发光中心 ,这种激活作用称为自激活 。

　　2.44

　　电荷补偿 chargecompensation

　　激活剂掺入基质时 ,如果发生不等价置换 ,就会在晶体中形成带电中心 , 因而需在晶体中再形成 一个带相反电荷的中心 , 以保持晶体的电中性 ,这种作用就是电荷补偿 。

　　2.45

　　斯托克斯定律 Stokes’slaw

　　发光物质的发光波长一般总是大于激发光波长 。

　　注 : 激发能量与发射能量之差称为斯托克斯位移 。

　　2.46

　　反斯托克斯发光 anti-Stokes’luminescence

　　物质的发光波长小于激发波长的反常现象 。

　　示例 :上转换发光 。

　　2.47

　　敏化 sensitization

　　某些杂质中心能有效地吸收外界的激发能并传递给发光中心 ,从而提高发光效率的过程 。

　　2.48

　　合作敏化 co-operation sensitization

　　合作敏化是几个离子的一种共同敏化作用 。

　　如图 1,敏化剂离子 S1 和 S2, 由激发态跃迁至基态时 ,将所释放的能量同时传给激活剂离子 A,使它跃迁到激发态的敏化过程 。

　　图 1 合作敏化发光示意图

　　2.49

　　猝灭 quenching

　　由于某些原因使发光材料发生非辐射跃迁 ,从而降低了发光效率的现象 。

　　注 : 猝灭的原因可以各不相同 ,常见的有温度猝灭 、浓度猝灭和杂质猝灭等 。

　　2.50

　　温度猝灭 temperaturequenching

　　由温度升高引起的发光效率下降的现象 。

　　注 : 这主要是由于温度升高使发光中心的激发能量以更多的晶格振动的形式消耗了 ,从而造成了发光效率的下降 。

　　2.51

　　浓度猝灭 concentration quenching

　　由于激活剂浓度过大造成的发光效率下降的现象 。

　　注 : 这主要是由于激活剂浓度达到一定值以后 ,它们之 间 的 相 互 作 用 增 强 了 ,增 大 无 辐 射 跃 迁 几 率 ,从 而 使 发 光 效率下降 。

　　2.52

　　杂质猝灭 impurityquenching

　　由于某些杂质离子的作用使发光效率下降的现象 。

　　2.53

　　猝灭剂 quencher

　　导致发光效率下降的杂质离子 。

　　注 : 铁 、钴 、镍是硫化锌 型 荧 光 粉 的 强 猝 灭 剂 。 这 种 猝 灭 作 用 一 般 认 为 是 由 于 猝 灭 剂 的 能 级 间 距 很 容 易 转 化 为声子 。

　　2.54

　　能量传递 energytransfer

　　某一激发中心将激发能的全部或部分转交给另一中心 。

　　注 : 能量传递的方式主要有 :辐射能量传递 、无辐射能量传递 。

　　2.55

　　能量输运 energy migration

　　借助于载流子 、激子等的运动 ,把能量从晶体的一部分带到另一部分 。

　　2.56

　　电荷迁移态 charge transferstate;CTS

　　在激发过程中 , 电子从一个离子转移到另一个离子上 , 即从周围阴离子被激发到发光中心的阳离子上 , 中心离子此时所处的能态 。

　　注 : CTS不能直接产生光发射 ,只有当电子从 CTS返 回 周 围 阴 离 子 时 ,将 激 发 能 交 给 发 光 中 心 , 发 光 中 心 被 激 发 ,这时才能产生发光跃迁 。

　　2.57

　　位形坐标 configuration coordinate

　　描述发光离子和它周围的晶格离子所形成的系统的能量(包括电子能量 、离子势能以及电子和离子间的相互作用能)和周围晶格离子位置之间的关系的图形 。纵坐标代表系统的能量 ,横坐标代表周围离子的 “位置 ”,称为位形 。这是个笼统的位置概念 , 因为离子不止一个 ,一般不能用一个坐标来描述 。如图 2所示 , 曲线 A 代 表 系 统 基 态 能 量 , B 代 表 系 统 激 发 态 的 能 量 , 曲 线 上 的 水 平 横 线 表 示 晶 格 振 动能级 。

　　说明 :

　　1 — 激发 ;

　　2 — 晶格弛豫 ;

　　3 — 发射 ;

　　4 — 晶格弛豫 ;

　　r0— 周围晶格离子在基态的平衡位置 。

　　图 2 位形坐标图

　　2.58

　　光谱项 spectralterm

　　光谱学中用来表示原子(或离子)所处能量状态的符号 ,通常表示为 2S+1LJ 。其中 :S 为总自旋量子数 ;

　　L 为总轨道量子数 ;

　　J 为总角动量量子数 。

　　对应 L 为 0,1,2,3,4,5……等值 ,用 S,P ,D ,F,G,H……表示 。

　　示例 :

　　三价镨离子 Pr3+ ,两个 f 电子自旋平行 ,则 :

　　设 L= 5,

　　J 的取值范围在|L-S|和|L+S|之间 , J= 4、5、6,

　　则 Pr3+ 的基态光谱项为3 H4 。

　　2.59

　　激发光谱 excitation spectrum

　　发光的某一谱线或谱带的强度或发光效率随激发光波长(或频率)的变化 。

　　2.60

　　激发波长 excitation wavelength

　　激发荧光粉发光的某一谱线或谱带的强度或发光效率的激发光波长 ,单位为纳米(nm) 。

　　2.61

　　吸收光谱 absorption spectrum

　　物质的吸收系数(单位为 cm-1)随入射光的波长或频率变化的曲线 。

　　2.62

　　漫反射光谱 diffusereflection spectrum

　　漫反射率随入射波长或频率而变化的谱图 。

　　注 : 光线投射到粗糙表面时 ,它向四面八方散射和反射 ,称漫反射 。通常用漫反射率表示反射能力的大小 。

　　2.63

　　发射光谱 emission spectrum

　　发光的能量按波长或频率的分布 。

　　2.64

　　发射主峰 mainemission peak

　　荧光粉发射光谱中强度最大的波长 ,单位为纳米(nm) 。

　　2.65

　　荧光光谱 fluorescencespectrum

　　荧光能量按波长或频率的分布 。

　　2.66

　　带谱 band spectrum

　　有一较宽波长范围的连续不断的光谱 。

　　2.67

　　线状光谱 linespectrum

　　线谱

　　由一条条线状发射组成的光谱 。

　　注 : 其中的每条发射线称为光谱线 ,每条谱线的波长范围都是极窄的 。科学的描述应该指出谱线的位置和宽度 。

　　2.68

　　谱线宽度 spectrum width

　　半宽度 halfwidth;fullwidth athalfmaximum;FWHM

　　光谱曲线最大强度的一半处所对应两个波长之差 。如图 3 所示 ,AB连线的宽度 , 即峰值的一半处的总宽度 。

　　图 3 谱线宽度

　　2.69

　　洛伦兹线型 lorentzian lineshape

　　光谱线相对强度按频率分布满足洛伦兹分布的线型 。用公式表示如下 :

　　式中 :

　　v0— 谱线的中心频率 。

　　2.70

　　高斯线型 gaussian lineshape

　　光谱线相对强度按频率分布满足高斯分布的线型 。用公式表示如下 :

　　式中 :

　　v0— 谱线的中心频率 。

　　2.71

　　能量效率 energy efficiency

　　发射的荧光能量与所吸收的激发能量之比 。

　　注 : 又可称为功率效率 。

　　2.72

　　量子效率 quantum efficiency

　　发射的荧光光子数与所吸收的激发光子数之比 。

　　2.73

　　流明效率 luminousefficiency

　　发光的流明数与激发能量之比 。它和能量效率的关系如下 :

　　ηl =ηp683∫P (λ) V(λ)dλ/∫P (λ) dλ

　　式中 :

　　ηl — 流明效率 ,单位为流明每瓦(lm/W) ;

　　ηp — 能量效率 ;

　　683 — 常数 ,光功率的最大流明当量 ;

　　P(λ) — 光谱功率分布 ,单位为流明每瓦(lm/W) ;

　　V(λ) — 光谱光视效率 。

　　2.74

　　相对亮度 relativebrightness

　　在规定的激发条件下 ,荧光粉试样与同牌号标准荧光粉样品的亮度之比 。

　　注 : 荧光粉停止激发后 ,在规定时间内试样与同一牌号标样的亮度之比 ,称为余辉相对亮度 。

　　2.75

　　发光增长 build-up ofluminescence

　　荧光粉的相对能量输出与激发时间的关系 。它表明在稳定激发下荧光粉的能量输出从激发开始到稳定状态的增长情况 。

　　2.76

　　荧光寿命 fluorescencelifetime

　　处在发射荧光的高能级的粒子 , 向低能级跃迁而发射荧光的时间的平均值(这段时间是随机的) 。它表现为激发停止后 ,荧光衰减到起始发光强度的 1/e所经历的时间 。

　　2.77

　　衰减 decay

　　激发停止后 ,发光强度随时间而降低的现象 。最简单 、最基本的包括数式衰减和双曲线衰减 。分别用以下公式表示 :

　　指数式衰减 : I= I0e-

　　双曲线衰减 : I 式中 :

　　I0— 激发停止时的发光强度 ,单位为坎德拉(cd) ;

　　t — 从激发停止时算起的时间 ,单位为秒(s) ;

　　I —t时刻的发光强度 ,单位为坎德拉(cd) ;

　　τ — 荧光寿命 ,单位为秒(s) ;

　　b — 常数 。

　　2.78

　　余辉时间 afterglow time;persistence time

　　对阴极射线致发光材料来说 ,激发停止后 ,亮度衰减到初始亮度 10%的时间 。

　　注 : 激发停止后的发光称为余辉 。余辉时间小于 1 μs的称为超短余辉 ,1 μs~ 10 μs间的称为短余辉 , 10 μs~ 1 ms间的称为中短余辉 ,1 ms~ 100 ms间的称为中余辉 ,100 ms~ 1 s间的称为长余辉 ,大于 1 s 的称为极长余辉 。

　　2.79

　　晶型 crystalsystem

　　组成晶体的三个矢量的大小和它们之间的夹角不同 ,所形成的不同对称性的晶体 。

　　注 : 晶体可分为七个晶型 , 即三斜 、单斜 、正交 、正方 、四 方 、六 方 和 立 方(等 轴) 七 个 晶 型 。其 中 三 斜 、单 斜 和 正 交 三类对称性最低 ,是低级晶族 ;立方晶系对称性最高 ,为高级晶族 ;其余属中级晶族 。

　　3 荧光粉材料

　　3. 1

　　荧光粉 phosphor

　　在一定的激发条件下能发光的无机粉末材料 。

　　注 : 有时也叫发光粉 、晶态磷光体或磷光体 。按激发方式的不同 ,可分为光致发光荧光粉 、电致发光荧光粉 、阴极射线致发光荧光粉和放射线致发光荧光粉等 。

　　3.2

　　光致发光荧光粉 photoluminescentphosphor

　　在光激发下能发光的无机粉末材料 。

　　注 : 激发光可以在紫外 、可见 、近红外波段 。

　　3.3

　　荧光高压汞灯用荧光粉 phosphor forhigh pressuremercury fluorescentlamp

　　涂在荧光高压汞灯内的一种光致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　铕激活的钒酸钇或钒磷酸钇 。

　　3.4

　　荧光低压汞灯用荧光粉 phosphor forlow pressuremercury fluorescentlamp

　　涂在荧光低压汞灯内的一种光致发光荧光粉 。能够在 254 nm 汞线的激发下 ,产生有效的光辐射 。示例 :

　　日光灯用荧光粉 。

　　3.5

　　日光灯用荧光粉 phosphor fordaylightfluorescentlamp

　　目前制造日光灯所常用的卤磷酸钙荧光粉 。其基质是 3Ca3 (PO4 ) 2 · Ca (F, Cl) 2 , 称 为 氟 氯 磷 灰石 。掺入少量激活剂锑(Sb)和锰(Mn) ,焙烧以后制成一种光致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　3Ca3 (PO4 ) 2 · Ca(F,Cl) 2 ∶ Sb,Mn 3.6

　　三基色灯用荧光粉 phosphor forthree-primary color fluorescentlamp

　　制备三基色灯所用的光致发光荧光粉 。 由具有红 、绿 、蓝发光色的三种荧光粉 ,按一定比例混合而成 ,制成粉浆后涂在低压汞荧光灯管的内壁上 。

　　示例 :

　　常用的三基色灯用荧光粉如表 1所示 。

　　表 1 三基色灯用荧光粉

　　3.7

　　冷阴极荧光灯(CCFL)用荧光粉 phosphor forcold cathode fluorescentlamp(CCFL)

　　涂在冷阴极荧光灯玻璃管内壁上的 ,在气体放电释放的辐射能的激发下 ,产生发光效应的光致发光材料 。

　　示例 :

　　常用的有氧化钇铕 、磷酸镧铈铽 、铝酸钡镁铕等 。

　　3. 8

　　等离子显示器(PDP)用荧光粉 phosphor forplasma displaypanel(PDP)

　　能被等离子显示器件内部气体放电产生的真空紫外 147 nm、172 nm 短波长有效激发而发出可见光的无机粉末材料 。

　　示例 :

　　常用的有硼酸钇钆铕 、硅酸锌锰 、硼酸钇钆铽 、铝酸钡镁铕等 。

　　3.9

　　发光二极管(LED)用荧光粉 phosphor forlightemittingdiode(LED)

　　在半导体发光二极管(LED)发出的光激发下能发光的无机粉末材料 。

　　示例 :

　　常用的有铈激活的钇铝石榴石 、铕激活的碱土金属正硅酸盐等 。

　　3. 10

　　彩色灯用荧光粉 phosphor forcolor fluorescentlamp

　　用来制作彩色荧光灯和霓红灯的一些光致发光荧光粉 。 它们在紫外光的激发下产生不同颜色的发光 。

　　示例 :

　　常用的彩色灯用荧光粉如表 2所示 。

　　表 2 彩色灯用荧光粉

　　3. 11

　　医疗灯用荧光粉 phosphor formedicallamp

　　用于制作医疗灯的一些光致发光荧光粉 。它们在 254 nm 紫外光的激发下 ,能产生 310 nm~ 330 nm辐射 。

　　示例 :

　　常用的如磷酸钙铊 。

　　3. 12

　　黑光灯用荧光粉 phosphor forblack lightlamp

　　用来制作黑光灯的一些光致发光荧光粉 。它们在 254 nm 紫外光的激发下 ,能产生 360 nm 左右的紫外辐射 。

　　示例 :

　　常用的黑光灯用荧光粉如表 3所示 。

　　表 3 黑光灯用荧光粉

　　3. 13

　　复印灯用荧光粉 phosphor forcopying

　　用于复印荧光灯上的荧光粉 。

　　示例 :

　　重氮复印荧光灯主要用焦磷酸锶铕(二价) 、焦磷酸锶镁铕(二价) ;静电复印荧光灯主要 用 硅 酸 锌 锰 、镓 酸 镁 锰 等 荧光粉 。

　　注 : 这些荧光粉的发射光谱要与感光体的光敏曲线匹配 。

　　3. 14

　　上转换荧光粉 up-conversion phosphor

　　发射光子能量大于激发光子能量的荧光粉 。

　　注 :

　　根据其基质组分的不同可分成三类 :稀土氟化物 、稀土卤氧化物 、稀土氧化物或复合氧化物 。

　　3. 15

　　紫外荧光粉 ultravioletemission phosphor

　　用短波紫外线激发而产生长波紫外辐射的荧光粉 。

　　示例 :

　　保健灯用的磷酸锌镁铊或重硅酸钡铅等 。

　　3. 16

　　电致发光荧光粉 electroluminescentphosphor

　　在交流或直流电场作用下 ,依靠电场或电流的激发能产生发光的无机粉末材料 。

　　注 : 用于制造各种电致发光显示器件 。

　　3. 17

　　交流电致发光荧光粉 A. C. electroluminescentphosphor

　　在交流电场作用下 ,主要依靠电场的激发发光的无机粉末材料 。

　　示例 :

　　硫化锌铜(绿色) 。

　　3. 18

　　直流电致发光荧光粉 D. C. electroluminescentphosphor

　　在直流或交流电场作用下 ,主要依靠电流的激发发光的无机粉末材料 。

　　示例 :

　　硫化锌锰铜(橙黄) 。

　　3. 19

　　阴极射线致发光荧光粉 cathodoluminescentphosphor

　　在阴极射线(电子束)激发下 ,能发光的无机粉末材料 。

　　注 : 广泛用来制作各种类型的电子束显示 、显像器件的荧光屏 。

　　3.20

　　黑白电视用荧光粉 phosphor forblack-white television

　　用来制作黑白电视显像管的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　目前所用的是由两种硫化物荧光粉混合制成的 。一种是发蓝光的硫化锌银 ;另一种是发 黄 光 的 硫 化 锌 镉 银 或 硫 化锌镉铜铝 。

　　3.21

　　彩色电视用荧光粉 phosphor forcolortelevision

　　用来制作彩色电视显像管的阴极射线致发光荧光粉 ,是由红 、绿 、蓝三种不同发光色的材料组成 。

　　示例 :

　　常用的红色荧光粉是硫氧化锌铕或氧化钇铕 ;绿色荧光粉是硫化锌铜铝或硫化锌金铜铝 ;蓝色荧光粉是硫化锌银 。

　　3.22

　　场发射显示器(FED)用荧光粉 phosphor for field emission display(FED)

　　涂敷在场发射显示器屏上的 ,通过场发射阴极阵列上的大量微阴极发射的电子束直接轰击而产生发光效应的发光材料 。

　　示例 :

　　常用的有氧化钇铕 、硫化锌铜铝 、硫代镓酸锶 、硫化锌银铝等 。

　　3.23

　　投影电视用荧光粉 phosphor forprojective television

　　用来制作投影式电视显像管的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　黑白投影电视用荧光粉 :硫氧化钇铽 ;彩色投影电视用荧光粉 :红色为氧化钇铕 、蓝 色 为 硫 化 锌 银 、绿 色 为 硅 酸 锌 锰或一些铽激活的稀土化合物 。

　　3.24

　　飞点扫描管用荧光粉 phosphor for flyingspotscanningtube

　　用来制作飞点扫描管的超短余辉荧光粉 。

　　示例 :

　　常用的有铝酸钇铈 、硅酸钇铈 、镓铝酸钇铈和硅酸钙镁铈等 。

　　3.25

　　示波管用荧光粉 phosphor foroscillograph

　　用来制作各种示波管的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　常用的有硅酸锌锰 、硫化锌铜 、氟化锌镁 锰 、硫 化 锌 镉 银 、氟 化 镁 锰 、硫 化 锌 铅 ,铜 以 及 硫 化 锌 银 和 硫 化 锌 镉 铜 的 组合等 。

　　3.26

　　显示管用荧光粉 phosphor for imagedisplay

　　用来制作各种显示管的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　常用的有硫化锌镉银 、硅酸钙铅锰 、硅酸锌锰砷 、硫化锌镉铜以及硫化锌银和硫化锌镉铜的组合 。

　　3.27

　　真空荧光显示器(VFD)用荧光粉 phosphor forvacuum fluorescentdisplay(VFD)

　　涂敷在真空荧光显示器阳极上的 ,经过栅极和阳极所加正电压加速的阴极发射电子激发而发光的无机粉末材料 。

　　示例 :

　　常用的有 Y2 O2 S ∶ Eu(红) 、(Cd,Zn)S ∶ Ag(红光) 、Y2 O2 S ∶ Tb(白) 、ZnO ∶ Zn(绿) 、ZnS ∶ Zn、Pb(蓝) 、ZnS ∶ Ag(蓝光)和 SnO2 ∶ Eu(橙红) 。

　　3.28

　　电压穿透型荧光粉 voltagepenetration phosphor

　　发光颜色或余辉时间随电子束加速电压改变而变化的荧光粉 。

　　示例 :

　　常用的有混合型 、洋葱皮型和单一颗粒型三类 。

　　3.29

　　电流敏感型荧光粉 currentsensitivephosphor

　　发光颜色随激发电子束束流密度的改变而变化的荧光粉 。 常用一种电流—亮度呈超线性和一种电流—亮度呈亚线性的材料混合而成 。

　　3.30

　　低能电子荧光粉 low energy electron phosphor

　　在能量低于几百电子伏的电子束激发下 ,能产生满足一定亮度和光谱分布要求的发光荧光粉 。

　　示例 :

　　低压荧光数码管中的氧化锌锌 。

　　3.31

　　极长余辉荧光粉 verylongpersistencephoshor

　　余辉时间(10%)大于 1 s 的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　用于雷达显示的氟化锌锰 。

　　3.32

　　长余辉荧光粉 longpersistencephosphor

　　余辉时间(10%)为 100 ms~ 1 s 的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　用于雷达显示的氟化镁锰和氟化钾镁锰等 。

　　3.33

　　中余辉荧光粉 medium persistencephosphor

　　余辉时间(10%)为 1 ms~ 100 ms的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　用于示波显示的硅酸锌锰和硫化锌铜等 。

　　3.34

　　中短余辉荧光粉 medium shortpersistencephosphor

　　余辉时间(10%)为 10 μs~ 1 ms的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　用于彩色显像管的硫化锌银氯(蓝色)荧光粉等 。

　　3.35

　　短余辉荧光粉 shortpersistencephosphor

　　余辉时间(10%)为 1 μs~ 10 μs的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　用于摄像记录和示波显示的硫化锌银镍等 。

　　3.36

　　超短余辉荧光粉 very shortpersistencephosphor

　　余辉时间(10%)小于 1 μs的阴极射线致发光荧光粉 。

　　示例 :

　　用于飞点扫描管的硅酸钙镁铈等 。

　　3.37

　　放射线致发光荧光粉 radioluminescentphosphor

　　在 X射线 、放射线(α、β和γ射线)以及中子射线激发下能发光的无机粉末材料 。

　　示例 :

　　用于 X射线观察的硫化锌镉银 ;用于 X射线拍照的钨酸钙钨 、氟氯化钡铕 、溴氧化镧铽以及用于夜明显示的硫化锌银 、钷 147和硫化锌铜氘等 。

　　3.38

　　X射线增感屏用荧光粉 phosphor forX-rayintensifyingscreens

　　在 X射线激发下 ,发射近紫外光和可见光的荧光粉 。

　　示例 :

　　钨酸钙钨 、铽激活的稀土硫氧化物 、溴氧化铽和氯化钡铕等 。

　　注 : 使用增感屏可提高医用乳胶片的灵敏度 ,在较低的 X射线剂量下 ,拍得较清晰图像 。

　　3.39

　　固相反应 solid statereaction

　　在固体间发生的化学反应 ,有时也包括有液体或气体掺入固相内所发生的化学反应 。

　　注 : 反应温度 、气氛 、压力以及反应物颗粒的大小对固相反应有重要影响 。荧光粉一般由固相反应制得 。

　　3.40

　　固溶体 solid solution

　　固态条件下 ,一种组分(溶剂)内 “溶解 ”了其他组分(溶质)而形成的单一 、均匀的晶态固体 。

　　注 : 固溶体有置换型(替位型)和间隙型(填隙型)两种 。溶质原子位于溶剂晶格中某些结点位置的形成置换型固溶体 ;溶质原子位于溶剂晶格中某些间隙位置时形成间隙型固溶体 。荧光粉就是基质与激活剂等形成的固溶体 。

　　3.41

　　基质 matrix;host

　　荧光粉的主体成分 。

　　示例 :

　　硫化锌铜中的硫化锌 。

　　注 : 基质又可称为主剂 。

　　3.42

　　激活剂 activator

　　为使原来不发光或发光很弱的材料产生发光而在材料的基质中加入的某种杂质 。

　　3.43

　　共激活剂 co-activator

　　与激活剂共同加入基质中可与激活剂协同起到增强激活作用的杂质 。

　　示例 :

　　硫化锌银氯中的氯 。

　　3.44

　　敏化剂 sensitizer

　　在发光材料中加入的能有效地吸收外界的激发能并传递给发光中心 ,从而提高发光效率的杂质 。

　　示例 :

　　卤磷酸钙锰铈中的铈 。

　　3.45

　　添加剂 additive

　　在荧光粉的形成过程中所加入的激活剂 、共激活剂 、敏化剂 、助溶剂 、补偿剂以及疏松剂等的统称 。

　　3.46

　　补偿剂 compensation

　　具有电荷补偿作用的杂质 。

　　示例 :

　　制备硫化锌铜时加入的铝离子 。

　　3.47

　　助熔剂 flux

　　为降低基质结晶温度 ,促进晶体形成和生长 ,并使激活剂易于进入晶格所加入的物质 。

　　示例 :

　　常用第 Ⅰ 、Ⅱ族的卤化物 。

　　注 1: 它往往不包含在最后的产品中(焙烧时挥发或最后由产品中漂洗出去) 。

　　注 2: 助熔剂的种类 、含量以及纯度都会影响产品的发光性能 。

　　3.48

　　疏松剂 loosener

　　为使高温焙烧后的 荧 光 粉 体 不 致 过 硬(可 能 因 加 入 助 熔 剂 或 其 他 所 致) 所 加 入 的 起 疏 松 作 用 的物质 。

　　示例 :

　　在制备硫化锌银时所加入的氯化镁 。

　　3.49

　　前处理 pre-treatment

　　在荧光粉的制备过程中 ,凡在高温焙烧之前所需的一些处理过程 。

　　注 : 前处理包括提纯原材料 、配料 、混料 、研磨 、烘干和过筛等工序 。

　　3.50

　　提纯 purification

　　应用化学和物理方法 ,除去原料中影响发光性能的有害杂质 ,使之达到制备荧光粉所需的纯度的工艺过程 。

　　示例 :

　　常用的有沉淀法 、吸附 、萃取 、交换等提纯方法 。

　　3.51

　　配料 mixing

　　将各种原料按一定的化学配比混合在一起 。分为干法和湿法两种 。

　　3.52

　　干法配料 dry mixing

　　把各种固体原料机械地混合起来 ,经过研磨或球磨制成均匀混合的炉料 。

　　3.53

　　湿法配料 wetmixing

　　把各种原料放在溶液中 ,通过机械混匀或化学反应制成炉料 。

　　3.54

　　预烧 pre-calcination

　　将配好的原材料放在稍低于荧光粉成晶温度的条件下进行灼烧的过程 。

　　3.55

　　灼烧 calcination

　　炉料在一定的成晶温度下加热处理的过程 。

　　注 : 灼烧能促成各组分间的固相化学反应 ,使基质和激活剂作用而形成发光中心 ,形成具有一定大小和形状的结晶体 。灼烧的条件直接影响荧光粉的发光性能 。

　　3.56

　　灼烧温度 calcination temperature

　　灼烧时所需的温度 。

　　注 : 它主要依赖于基质 的 特 性 , 取 决 于 组 分 的 熔 点 、扩 散 速 度 和 结 晶 能 力 。荧 光 粉 的 结 晶 状 态 和 灼 烧 温 度 密 切相关 。

　　3.57

　　[固体]相变 phasechange;phase transition (transfomation)

　　在一定温度和压力下 , 晶体由一种晶型转变成另一种晶型的过程 。

　　注 : 荧光粉制备中所涉及的相变 ,是固体中不同晶型间的转变 。

　　3.58

　　相图 phasediagram

　　平衡状态下物系的组分 、物相和外界条件间相互关系的几何描述 。

　　注 : 相图也称状态图或平衡图 。凝聚体系的相图多数是恒压下的 T (温度)-C (组分)关系图 。

　　3.59

　　后处理 back treatement

　　荧光粉制备过程中 ,高温灼烧以后的各个工艺步骤 。

　　注 : 后处理一般包括选粉 、洗涤 、球磨 、水选 、包膜 、脱水 、干燥 、过筛等 。

　　3.60

　　包膜 coating

　　在荧光粉的晶粒表面 ,分散地吸附上某些极小无机物颗粒的操作过程 。一般采用氧化物 、硅酸盐 、磷酸盐等 。

　　3.61

　　包膜量 coatingquantity

　　包膜物质用量 。一般用占荧光粉质量的百分比来表示 。

　　3.62

　　筛选 sieving

　　将荧光粉过筛的工艺 。

　　注 : 目的是除去其中的特大颗粒 、凝集团粒和混入的某些机械杂质 。

　　3.63

　　水选 waterselection

　　一种对荧光粉进行粒度分选的工艺 。

　　注 : 具体做法是把荧光粉分散到水介质中 ,加入少量的分散剂(如硅酸钾) ,依据斯托克斯(Stokes)公式 ,用沉降的高度和时间来分选出合适的粒度的过程 。

　　3.64

　　着色 pigmentation

　　为了提高彩色显像管或显示管的对比度 ,在荧光粉表面粘附一层与其发光颜色相似的颜料的工艺 。

　　3.65

　　着色剂 pigmented agent

　　为了提高彩色显像管或显示管的对比度 ,在荧光粉表面粘附的一层与其发光颜色相似的颜料 。

　　3.66

　　颜料附着强度 pigmentadhesion strength

　　表示荧光粉在着色处理后 ,颜料在荧光粉表面粘附的强度 。

　　注 : 以涂屏粉浆的上澄清液的透过率计测 。

　　3.67

　　一次特性 primary characteristics

　　荧光粉的发光特性和其他物理特性 。

　　注 : 包括荧光粉的发光亮度 、发射光谱 、余辉 、粒度及体色等 。

　　3.68

　　二次特性 secondary characteristics

　　使用特性 application characteristics

　　荧光粉的使用特性 。

　　注 : 包括荧光粉的分散性 、涂敷性 、稳定性和抗老化性等 。

　　3.69

　　涂敷性 screening characteristics

　　荧光粉的制屏(管)使用性能 。

　　注 : 根据器件和涂屏(管)方法的不同 ,要求也不一样 。通常的评价指标为外观膜质 ,干 、湿粘着力 ,针孔等 。

　　3.70

　　热稳定性 thermostability

　　表示在器件制造工艺中 ,荧光粉对热处理的稳定性 。

　　3.71

　　温度特性 temperaturecharacteristics

　　表示荧光粉的发光特性与其温度的关系 。

　　注 : 包括发光亮度 、激发光谱 、发射光谱 、激发波长 、发射主峰及色品坐标等 。

　　3.72

　　化学稳定性 chemicalstability

　　在使用过程中 ,荧光粉对水 、气和各种化学试剂的稳定性 。

　　3.73

　　紫外辐照稳定性 stability underUV illumination

　　在一定温度和相对湿度影响下 ,荧光粉耐紫外线辐照的能力 。

　　3.74

　　抗烧伤性 burn resistance

　　荧光粉抗电子束及离子束轰击烧伤的能力 。

　　4 测试技术

　　4. 1

　　每紫外瓦的流明数 lumensperultravioletwatt

　　lm/UVW

　　用 1 W 的特定波长的紫外辐射功率激发荧光粉时产生的光输出流明数 。

　　4.2

　　色度学 colorimetry

　　以人的视觉生理特性和一组国际协议为基础 ,研究颜色计量理论的一门科学 ,是颜色 、颜料 、染料 、彩色显示 、彩色电视等的理论基础的一部分 。

　　4.3

　　明视觉 photopicvision

　　亮度高于几个 cd/m2 时 ,锥状细胞起主要作用的视觉 。

　　注 : 又称白昼视觉 。人眼视网膜上的感光细胞分为锥状细胞和杆状细胞两种 。

　　4.4

　　暗视觉 scotopicvision

　　亮度低于 10- 3 cd/m2 时 ,杆状细胞起主要作用的视觉 。

　　注 : 又称夜间视觉 。

　　4.5

　　三基色 threeprimary colors

　　三种互相独立的颜色 ,即任一基色不能用其他两个基色混合而成 。在加法混色中 ,选择红、绿、蓝三色。

　　注 : 色度学的三基色原理表明 , 自然界中绝大多数颜色可用红 、绿 、蓝三基色合成 ,也可按红 、绿 、蓝三基色分解 。 4.6

　　RGB测色系 RGB system

　　用比较方法测量光源颜色的系统 。

　　注 1: RGB三基色选择 :

　　R (红) 700. 0 nm

　　G (绿) 546. 1 nm

　　B (蓝) 435. 8 nm

　　注 2: 调节 RGB视场至与被测光源颜色相同 ,其 RGB的强弱分量分别为 α、β、γ,则有 :

　　S = αR +βG +γB

　　RGB三基色相加和相减(负值) ,可以配出 自然界 所 有 颜 色 ,但 由 于 任 何 光 电 探 测 器 无 法 测 量 负 值 , 因 而 影 响了 RGB测色系统的广泛应用 。

　　4.7

　　XYZ 测色系 XYZ system

　　用线性变换的方法 , 由 RGB测色系推导出来的 , 目前通用的测量颜色的系统 。

　　注 : 本系统所用的颜色三刺激值都为正值 ,但还存在色度不均匀(刻度)的缺点 。

　　4. 8

　　色度图 chromaticitydiagram

　　在 XYZ测色系统中 , 以 x 为横坐标 , 以 y 为纵坐标 ,做出的表示色刺激混合结果的图形(见图 4) 。注 : 任一颜色的色度可用色度图上的一点来表示 。

　　图 4 CIE 1931xy 色度图

　　4.9

　　色饱和度 colorsaturation

　　色纯度 color purity

　　彩色的纯洁性 。

　　注 : 在 x y 色度图中 ,光谱色轨迹所代表的各种 波 长 的 单 色 光 ,其 纯 度 最 高 , 色 纯 度 为 1(色 饱 和 度 规 定 为 100%) 。色度图内各点所代表的某一颜色被认为是由某一 波 长 的 单 色 光 和 白 色 混 合 而 成 ,越 靠 近 白 点 ,所 混 白 色 越 多 ,其色饱和度也越低 。

　　4. 10

　　主波长 dominantwavelength

　　用某一光谱颜色按一定比例与一个确定的参照光源(如 CIE标准光源 A、B、C,等能光源 E 标准照明体 D65)相混合而匹配出样品色的波长 。

　　4. 11

　　最小可辨色差 minimum perceptiblecolordifference;MPCD

　　国际照明委员会(CIE)1931色度图上 ,人眼能分辨的最小颜色差异的单位 。

　　4. 12

　　UCS色系 UCS system

　　为了克服 CIE色度图(x y 色系)中不同区域两种颜色宽容量的不同 ,1976年 CIE制定了均匀色度标尺图(CIE1976 Uniform Chromaticity Scale Diagram) , 简称 CIE1976UCS图 , 即常说的 uv 色系 , 在此系统中横坐标是 u,纵坐标是 v。若由色度(x,y)坐标转换成(u,v)坐标 ,可用以下公式 :

　　或 u

　　在 UCS测色系的色度图上 ,两点间连线的长短 ,基本上反映了两种颜色色度差别的程度 。

　　4. 13

　　[绝对]黑体 black body

　　既不反射也不透射 ,完全吸收入射辐射的物体 。

　　注 : 加热时 ,黑体辐射的是连续光谱 ,光谱能量只与温度有关 。

　　4. 14

　　[绝对]黑体辐射光谱分布曲线 black body radiation curve

　　黑体的辐射能量按波长的分布曲线 。

　　4. 15

　　黑体轨迹 black locus

　　黑体的辐射颜色随温度变化在 CIE x y 色度图上描出的轨迹 ,如图 5所示 。

　　图 5 黑体辐射轨迹

　　4. 16

　　色温 colortemperature

　　当某一光源的色度坐标位于色度图中黑体轨迹上时 ,黑体的热力学温度 。

　　4. 17

　　相关色温 correlated colortemperature

　　黑体轨迹上 ,和某一光源的色品坐标相距最近的那个黑体的绝对温度 。

　　4. 18

　　等色温线 isotemperatureline

　　色度图上 ,相关色温相同的直线 ,如图 6、图 7所示 。

　　注 : XYZ测色系的色度图上 ,等色温线与黑体轨迹不垂直 ,UCS测色系的色度图上 ,等色温线与黑体轨迹垂直 。

　　图 6 CIE1931色度图上按 10麦勒德间隔分布的等相关色温线

　　图 7 CIE1960UCS图上按 10麦勒德间隔分布的等相关色温线

　　4. 19

　　CIE标准施照体 A CIE standard illuminantA

　　国际照明委员会(CIE)推荐 ,代表全辐射体在热力学温度为 2 856 K(根据 1968年国际实用温标)发出的光 。

　　4.20

　　CIE标准光源 A CIE standard lightsourceA

　　国际照明委员会(CIE)推荐 , 由相关色温 2 856 K 的充气钨灯作为标准 A 光 源 , 以 实 现 标 准 施 照体 A。

　　4.21

　　CIE标准施照体 D65 CIE standard illuminantD65

　　国际照明委员会(CIE)推荐相关色温约为 6 504K 的昼光时相 。

　　4.22

　　E 施照体 illuminantE

　　所有波长上的辐射功率都相等时所呈现的白光 。

　　注 : 又称等能白色 。

　　4.23

　　真空紫外线[辐射] vacuum ultravioletray

　　辐射波长在 100 nm~ 200 nm 范围内的电磁辐射 。

　　注 : 这种辐射在空气中会被严重吸收 ,基本上不能传播 ,只有在真空中才无损耗 。

　　4.24

　　单色光源 monochromatic lightsource

　　波长范围很窄的光源 。

　　4.25

　　显色性 color-renderingproperties

　　与参照标准相比较 ,一个光源对所规定的色片颜色所产生的效果 。

　　注 : 根据国际照明委员会(CIE) 的推荐 ,把黑体(普朗克) 作为低色温光源的参照标准 ,把标准施照体 D作为高色温光源的参照标准 ,用以衡量在其他各种光源照明下的颜色效果 。

　　4.26

　　显色指数 color-renderingindex

　　Ra

　　待测光源下物体的颜色与参照光源下物体的颜色相符程度的度量 。

　　注 : 国际照明委员会(CIE)推荐 ,用一个色温接近于待测光源的普朗克辐射体作参照光源 ,并将其显色指数定为 10用八个孟塞尔(Munsell)色片做测色样品 。光源的显色指数越高 ,其显色性越好 。八个色片各有一个显色指 数平均起来是一个总显色指数 Ra。

　　4.27

　　红色比 red ratio

　　R

　　光源所发射的光谱红色部分(600 nm~ 780 nm)占可见光部分(380 nm~ 780 nm)的百分比 :

　　式中 :

　　p(λ) — 光源的光谱功率分布 ;

　　V(λ) — 光谱光视效率 。

　　4.28

　　视角 visualangle

　　光学系统成像的空间角度范围 。在此角度范围外的物体不能通过光学系统成像 。 当入射光瞳或孔径光阑为无限小时 ,从入射光瞳中心对入射窗的张角 。

　　4.29

　　光谱功率分布 spectralpowerdistribution

　　光源辐射功率按波长的分布 。

　　注 : 以任意单位表示的光谱功率分布 ,称为相对光谱功率分布 。

　　4.30

　　发光效率 luminescentefficiency

　　荧光粉的发光效率包括能量效率 、量子效率和流明效率(见 3. 71~ 3. 73) 。

　　4.31

　　体色 body color

　　在自然光下 ,直接观察荧光粉时所看到的荧光体颜色 。

　　4.32

　　机械杂质 mechanicalimpurity

　　在自然光下 ,直接观察荧光粉时所看到的不同于粉体的其他夹杂物 。

　　4.33

　　干粘着力 rewetadhesion strength

　　荧光粉按规定制样干燥后 ,粉体与基底(如玻璃)之间的粘着程度 。

　　4.34

　　湿粘着力 wetadhesion strength

　　荧光粉按规定制样后 ,在溶液中粉体与基底(如玻璃)之间的粘着程度 。

　　4.35

　　加速电压 acceleratingvoltage

　　为使从阴极发射的电子获得能量而加在阳极或加速极上的电压 。

　　4.36

　　电子束流密度 beam currentdensity

　　单位横截面上的电子束流强度 。在荧光粉测试中 ,表示单位面积试样上激发电子束流的强度 。单位为微安每平方厘米(μA/cm2 ) 。

　　4.37

　　电压特性 voltagecharacteristics

　　荧光粉发光亮度随电压变化的关系 。

　　4.38

　　电流特性 currentcharacteristics

　　荧光粉的发光亮度随电子束流变化的关系 。

　　4.39

　　发光波形 luminescentwaveform

　　在周期性电压激发下 ,交流电致荧光粉的发光亮度随时间而变化的图形 。

　　4.40

　　斯托克斯粒度沉降定律 Stokeslaw toparticlesedimentations

　　颗粒(包括荧光粉颗粒)在液体介质中 自 由降落时作匀速运动 。运动方程为 :

　　式中 :

　　v — 沉降速度 ,单位为厘米每秒(cm/s) ;

　　h— 沉降高度 ,单位为厘米(cm) ;

　　t — 沉降时间 ,单位为秒(s) ;

　　g— 重力加速度 ,单位为 980厘米每二次方秒(980 cm/s2 ) ;

　　ρf— 荧光粉密度 ,单位为克每立方厘米(g/cm3 ) ;

　　ρs— 介质密度 ,单位为克每立方厘米(g/cm3 ) ;