T/CPIA 0059-2024 晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备

本文件规定了晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备（以下简称“LPCVD设备”）的术语和定义、工作环境、技术要求、基本性能、检验方法、交付检验以及标志、包装、搬运和运输、贮存。
本文件适用于晶体硅光伏电池用管式LPCVD设备的生产及检验。其他类型LPCVD设备可参考使用。LPCVD设备可进行隧穿氧化层、本征多晶硅（Poly-Si）层、原位掺杂多晶硅（Poly-Si）层等的工艺制备。