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T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语
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资料介绍
TCASAS 002-2021 宽禁带半导体术语
本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。
本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（ GaN）、氮化铝（ AlN）、碳化硅（ SiC）、氧化锌（ZnO））、氧化镓（β-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者
本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。
本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（ GaN）、氮化铝（ AlN）、碳化硅（ SiC）、氧化锌（ZnO））、氧化镓（β-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者
