本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为 300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件的衬底。 ... 上一篇:T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚下一篇:T/NXSCJS 104-2024 古陶瓷测评规范