本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜,满足一定条件时,方可采用... 上一篇:YS/T 805-2012 铝及铝合金中稀土分析方法 化学分析方法测定稀土含量下一篇:YS/T 227.10-2010 碲化学分析方法 第10部分:砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法