晶体生长手册4：蒸发及外延法晶体生长技术（英文版）

出版时间：2013年版

内容简介

　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

目录

缩略语

PartD 晶体的气相生长

23 SiC晶体的生长与表征

　23.1 SiC-背景与历史

　23.2 气相生长

　23.3 高温溶液生长

　23.4 籽晶升华的产业化体材料生长

　23.5 结构缺陷及其构造

　23.6 结语

　参考文献

24 物理气相传输法生长体材料AIN晶体

　24.1 物理气相传输法晶体生长

　24.2 高温材料兼容

　24.3 AIN体材料晶体的自籽晶生长

　24.4 AIN体材料晶体的籽晶生长

　24.5 高质量晶体表征

　24.6 结论与展望

　参考文献

25 单晶有机半导体的生长

　25.1 基础

　25.2 成核与晶体生长理论

　25.3 对半导体单晶有机材料的兴趣

　25.4 提纯预生长

　25.5 晶体生长

　25.6 有机半导体单晶的质量

　25.7 有机单晶场效应晶体管

　25.8 结论

　参考文献

26 卤化物气相外延生长Ⅲ族氮化物

　26.1 生长化学和热力学

　26.2 HVPE生长设备

　26.3 体材料GaN的生长衬底和模版

　26.4 衬底除去技术

　26.5 HVPE中GaN的掺杂方法

　26.6 缺陷密度、位错和残留杂质

　26.7 HVPE生长的体材料GaN的一些重要性能

　26.8 通过HVPE生长AIN:一些初步的结论

　26.9 通过HVPE生长InN:一些初步的结论

　参考文献

27 半导体单晶的气相生长

　27.1 气相生长分类

　27.2 化学气相传输——传输动力学

　27.3 热力学讨论

　27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的生长

　27.5 纳米材料的气相生长

　27.6Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ，化合物生长

　27.7 VPE法生长氮化镓

　27.8 结论

　参考文献

PartE 外延生长和薄膜

28化学气相沉积的碳化硅外延生长

　28.1 碳化硅极化类型

　28.2 碳化硅的缺陷

　28.3 碳化硅外延生长

　28.4 图形衬底上的外延生长

　28.5 结论

　参考文献

29 半导体的液相电外延

　29.1 背景

　29.2 早期理论和模型的研究

　……

30 半导体的外延横向增生

31 新材料的液相外延

32 分子束外延的HgCdTe生长

33 稀释氮化物的金属有机物气相外延和砷化物量子点

34 锗硅异质结的形成及其特性

35 脉冲激光的等离子能量和脉冲电子淀积




上一篇: 晶体生长手册 第6册 晶体生长专题 （英文版）
下一篇: 材料表面现代分析方法