JIS R1693-3-2012 精细陶瓷和陶瓷基复合材料的发射率的测量方法--第3部分:直接加热法测定热半球总发射率 Measurement method for emissivity of fine ceramics and ceramic matrix composites -- Part 3: Hemispherical total emissivity by direct heating calorimetry 上一篇:JIS R 1693-2-2012 精细陶瓷和陶瓷基复合材料的发射率的测量方法--第2部分:使用红外光谱仪反下一篇:JIS R 1702-2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高技术陶瓷)--光催化材料抗菌活性和功效的试验方法