闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重... ... 上一篇:顶级游戏设计:构造游戏世界下一篇:GPS卫星测定定位理论与应用