纳米CMOS电路和物理设计出版时间:2011年版内容简介 《纳米CMOS电路和物理设计》将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起,形成了一套先进的半导体技术,探讨了器件和工艺的新发展,提供了设计考虑,重点关注了技术与设计的相互影响,并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米CMOS工艺缩小问题及其对设计的影响;亚波长光刻;运行问题的物理与理论以及... 上一篇:集成电路设计导论下一篇:施耐德变频器的应用