碳化硅晶体生长与缺陷作者:施尔畏 著出版时间:2012年版内容简介 《碳化硅晶体生长与缺陷》系统地介绍了物理气相输运(PVT)法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作,由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。《碳化硅晶体生长与缺陷》从碳化硅晶体结构出发,把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质... 上一篇:虚拟现实:从阿凡达到永生下一篇:有机光电材料与器件