纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化作者: 靳松,韩银和著 出版时间:2019年版内容简介 本书主要涉及在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应——负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响,并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。目录目录第1章绪论1.1工艺偏差1.2NBTI效应1.3章节组织结构第一部分... 上一篇:纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究 靳晓诗,刘溪著 2017年版下一篇:红外与光电系统导论 2001年版